LAN8710A-EZK

   過去認為柵氧的TDDB主要足Na+等沾污引起的，經過不斷努力，采用各種有效防止Na+沾污的措施，現已做到基本上無N ai-沾污（MOS電容經溫度一偏壓的B-T處理后，可動電荷在1×1010個lcn12以下，處理前后C-V曲線已無移動），以及采用二步（三步）HC1氧化法，使Si-Si0：界面處，從微觀上平整無凹凸接觸，以減少界面處場強。這種柵氧的擊穿場強基本上在lOMV／cm以上，但仍發生TDDB，所以柵氧的TDDB是VI)SI中的一個重要的可靠性問題。

  在一定電場作用下，Si0。產生F-N隧穿電流，電子從陰極注入氧化層中，注入電子在明極附近可產生新的陷阱或被陷阱所俘獲，局部電荷的積累，使其與陽極間某些局部地區 電場增強。由于Si0。中場強分布不是線性的，只要達到該處S102介質的擊穿場強就發生 局部介質擊穿，進而擴展到整個Si0。層，這是電子負電荷積累模型。

   氧化層的擊穿機理（過程），目前認為可分為兩個階段。第一階段是建立（磨損）階段，在電應力作用下，氧化層內部及Si-Si0。界面處發生缺陷（陷阱、電荷）的積累，積累的缺陷（陷阱、電荷）達到某一程度后，使局部區域的電場（或缺陷數）達到某一臨界值，轉入第二階段，在熱、電正反饋作用下，迅速使氧化層擊穿。柵氧壽命由第一階段中的建立時間所決定。

   另一種看法認為：注入電子在Si0。中被俘獲，或發生碰撞電離，產生電子一空穴對， 也可能產生新的陷阱；空穴在向陰極漂移過程中被氧化層陷阱獲，產生帶正電的空穴積累。另外，電子注入在界面處使Si-0、Si-H鍵斷裂產生正電荷的因正電荷的 積累，增強了陰極附近某處的電場，它使隧穿電子流增大，導致空穴進一步積累。這樣正 電荷的積累和隧穿電子流的增加形成一個正反饋，最終引起Sioz的擊穿，這就是正電荷積 累模型。

   對電應力下氧化層中及界面處產生的缺陷，一般多認為是電荷引起的，對電荷的性質，有兩種看法。

   第一種看法認為：Si0：的導電機理是電子從陰極注入，注入電子以F-N( FowlerNordheim)隧穿電流出現，而不是空穴從陽極注入，因為與空穴有關的勢壘高度和有效質量都較大。