AA2214CGSK

   氧化層在施加高電場應力后，其I-V特性中發生隧穿前的電流比施加高場應力前增加，在電壓脈沖移去后，其瞬態電流正比于氧化層中產生的陷阱數，反比于時間￡，而且陷阱的產生是均勻隨機分布的。如電子注入的界面處粗糙不平，可能伴隨較高的陷阱產生速率，從而導致較短的擊穿時間。利用隧穿波陣分析，可確定陷阱產生與電壓、應力流、極性及時間的關系。實測表明：體陷阱產生數與應力流的1／3次方程正比，界面態的產生數與應力流的1／2次方成正比，而與電壓極性及襯底類型無關。陷阱的產生與極性無關，表明熱載流子或碰撞電離不涉及薄氧化層中陷阱的產生。方次的不同說明界面態的陷阱是二雛的，而體陷阱本質上是三維的。當體（界面）陷阱密度在l019／cm3(1012 /Cl'l'12．eV)范圍時，氧化物就引發擊穿。

   高場下氧化層內部產生陷阱。隨著陷阱密度的增加，有更高的電流流過。當某個局部區域陷阱密度超過某一臨界值時，觸發的局部電流密度上升，若沿局部路徑足以促使熱燒毀，即發生擊穿。據此提出的統計（擊穿）模型。氧化層面積為A-LW，厚度為d，氧化層被劃分為N個面積為n的本征小單元，陷阱隨機地分布其中，當某個小單元的陷阱數超過臨界值K時，引發該單元擊穿，整個氧化層燒毀。