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   由于PSBR<PSBO<PSBF，發射結反偏時最容易引起二次擊穿，這是由于反偏時電流在基區電阻上產生橫向壓降使電流聚集在發射區中間，電流密度更大所造成的。二次擊穿與電壓、電流脈沖作用時間和基區電阻率有關。

   防止二次擊穿，改善器件可靠性的措施包括以下幾方面。鎖效應是指CMOS電路中寄生的固有可控硅結構被外界因素觸發尋通，在電源和地 之間形成低阻通路現象，一旦電流流通，電源電壓不降至臨界值以下，導通就無法終止， 引起器件的燒毀，構成CMOS電路一個主要的可靠性問題。隨著集成度的提高，尺寸縮 小，摻雜濃度提高，寄生管的hFE變大，更易引起閂鎖效應。

   在發射極和集電極條上串接鎮流電阻，提高功率管二次擊穿耐量。對微波功率管也可利用鍵合引線的電感和氧化物電容組成的網絡，選擇適當的匹配參數實現功率的自動調整。

   發生二次擊穿的部位常是存在工藝缺陷的地方，如管芯與底座間燒結層的空洞，發射極鍵合點壓偏使鎮流電阻短路，硅鋁合金常使基區厚度不均勻等。這些缺陷使電流集中，熱阻增大，局部發熱過甚，導致PN結燒毀，所以要有針對性地加強工藝控制，確保工藝質量。使用時根據手冊使其工作在安全工作區內，在此區域內不會引起二次擊穿或特性的緩慢退化。

   二次擊穿是器件內部的現象，其擊穿機理及有關安全工作區等情況可參見有關教科書。

   由于CMOS IC結構形成了PNPN四層寄生可控硅(SCR)結構，也可視作PNP管和NPN管的串聯，這種寄生的晶體管的E-B結都并聯一個由相應襯底構成的寄生電阻，因此觸發閂鎖效應的條件為以下方面。