在第一種情況下,傳感器檢測位置包含一對電絕緣的貴金屬電極,通過兩個電極之間的隔離層實現電絕緣,這也是示蹤分子固定的位置。在沉淀析出階段,電極之間的導電銀層形成,導致歐姆接觸電阻大幅減少幾個數量級。如之前所強 調,匹配和失配的檢測識別需要考慮這個參數隨時間變化的具體變化行為。文獻中報告的測量結果采用了最長一個小時的銀富集加強時間,就更容易實現更精確的時間辨別。在第二種情況下,使用了電解質覆蓋的相鄰或叉指交疊式電極。隨著銀沉淀在電介質的界面形成金屬層,與其他電極-電解質界面或者沒有銀層的功能化區域相比,這個界面提供了其他額外的電學參數,包括交流參數,例如:阻抗變化或其他射頻參數等,可以據此進行相關評估。

   LL103C

   在采用光學或準光學技術時,整個芯片被照射,光透過敏感活躍區域的光透過率由于銀層的形成而減少。為了達到這個目的,采用了完全光學裝置以及基于光敏二極管的CMOS芯片(類似于標準CMOS成像芯片)。另一個基于標記的技術使用磁珠作為靶分子的標記[41,42]。在這種情況下,傳感器檢測點必須提供一種電學參數可隨磁性材料出現而發生變化的器件。最近,集成GMR傳感器的互補金屬氧化物半導體(CMOS)芯片得到示范驗證,其采用電阻讀出方式[42]。

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