輻照后電參數測試

   輻射產生的氧化物陷阱電荷在室溫下就會發生退火效應,因此,為了減小退火效應對試驗結果的影響, M24C32-RMN6TP輻照后器件的電參數測試時間間隔一般遵守如下規定:

   (l)輻照結束到開始電參數測試的時間間隔不得超過1h;如果使用劑量率條件C,時間間隔不得超過72h。

   (2)上一次輻照結束到下一次輻照開始之間的時間間隔不得超過2h;如果使用劑量率條件C, 日寸丨司問阝鬲不得超過120h。

   為了減小退火效應的影響,這些時間間隔應該盡量短,且在試驗過程中,電參數的測試順序應保持不變。

   另外,如果輻照后的電參數測試采用移位測試的方式進行,那么將器件從輻射源移至測試地點進行測試以及測試完畢返回輻射源繼續進行輻照的過程中,應將器件的所有引腳短接,使輻射后的退火效應減至最小。

   4)其他通用要求

   (1)輻射源均勻性要求。器件被輻射的范圍內測得的輻射場不均勻性應低于10%,且整個輻照試驗期間,輻射源的射線場強度大小(或劑量率)的變化不超過±5%。另外,器件與輻射源之問位置的變化,以及輻射吸收和散射材料的存在將會影響輻射場的均勻性和強度。

   (2)試驗環境溫度要求。溫度對半導體器件的電離總劑量輻照損傷有很大的影響,因 此,在進行輻照試驗時,器件附近測得的環境溫度應在(γ±6)℃范圍內。

   (3)鉛鋁屏蔽盒要求。在輻照試驗室中,一般都會有低能散射(低能射線)的存在,而且低能散射將會引起劑量增強效應,這將對評估結果造成影響。因此,輻照試驗過程中,器件應該放在鉛鋁屏蔽盒中,以較小由低能散射輻射引起的劑量增強效應。這種鉛鋁屏蔽盒外層要求至少為15mm厚的鉛,內層屏蔽層至少為07mm厚的鋁。

如果能證明低能散射輻射足夠小,不會因劑量增強效應引起劑量測定的誤差,也可以不使用鉛鋁屏蔽盒。