空間單粒子效應通常采用地面高能粒子加速器進行地面模擬實驗,隨著器件敏感性增加且封裝形式越來越復雜,需要采用高能重離子和質子進行輻照試驗。未來可利用高能重離子,進行能量衰減獲得不同LET值的粒子,可以快速評估獲得器件的全截面曲線。此外,對于疊層封裝器件,需要采用更高穿透深度的質子進行地面輻照試驗評估。

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   空間電離總劑量效應通常采用地面鈷源進行輻照試驗評估,為了更好地模擬空間效應,可采用電子加速器進行輻照。對于位移損傷效應評估,目前基于反應堆中子進行輻照試驗,獲得等效lM cV中子注量的指標,由于空間環境位移損傷效應主要由質子引起,可采用質子進行更好的模擬試驗評估。此外,由于空間環境是一個綜合的復雜環境,不同效應之間存在協同效應,為了更真實地模擬空問綜合環境對電子器件的影響,未來也可能采用混合輻照的方法,更真實模擬空間效應的影響。