選擇芯片。在評定晶圓時,對確定晶圓接收與否的單個晶圓或為確定晶圓批接收與否而選定的一個或單(應為多)個晶圓,承制方可按具體情況自行決定選用以下抽樣條件中任何一個。

   ①象限抽樣。在將晶G6K-2G-Y-TR-DC5圓劃成芯片后(如劃片和扳片、割鋸、腐蝕),且在晶圓上各個芯片的相對位置還可辨認時,選取四個芯片。這些芯片位于晶圓上與晶圓中心距離為2閘半徑的位置并相互近似相距⒇°。然后用合適的腐蝕液去掉芯片上玻璃鈍化層,再進行SEM檢查。

    ②玻璃鈍化前的弓形抽樣。只有當以后的晶圓制造工藝溫度低于450℃(”3K),且互連金屬條的寬度不小于3um時,才能用本取樣方式。如果向鑒定機構提供的相關性數據表明,本程序與采甩常規腐蝕的程序之間沒有區別,并己得到鑒定機構的批準,本取樣方法也可用于較高溫度或較細線寬的情況。在金屬化和腐蝕后,而在玻璃鈍化前,從待檢查的每個晶圓上相對的兩邊切下兩個弓形。組成弓形的弦邊應位于沿著半徑方向距晶圓邊緣1閘半徑的位置。然后在每個弓形的弦邊上距兩端約1,5cm處各取一個芯片(共有4個芯片)進行SEM檢查。

    ③玻璃鈍化后的弓形抽樣。在完成所用工藝步驟后,在劃片前,從每個晶圓上相對兩邊各切下一個弓形。組成弓形的“弦”應位于沿著半徑方向距晶圓邊緣約1閘半徑的位置。然后采用合適的腐蝕液去掉鈍化層,在每個弓形的弦邊上距兩端約1,5cm處各取一個芯片(共4個芯片)作SEM檢查。

   ④玻璃鈍化前的晶圓抽樣。只有當以后的晶圓制造工藝溫度低于450℃(”3K),且互連金屬條的寬度不小于3um時,才能用本取樣方式。如果向鑒定機構提供的相關性數據表明,本程序與采用常規腐蝕的程序之間沒有區別,并己得到鑒定機構的批準,本取樣方法也可用于較高溫度或較細線寬的情況。在完成了金屬化、腐蝕工藝和樣片準各操作后將整個晶圓置于SEM設備中,對晶圓上距晶圓中心約刃3半徑處,且相互間近似相隔⒇°的4個芯片進行檢查。受檢查的晶圓上的芯片或與其相鄰的芯片不得作為正規產品發貨,除非業已表明所進行的檢查是非破壞性的。

    ⑤玻璃鈍化后的晶圓抽樣。本抽樣方式是破壞性的。對完成芯片工藝的晶圓做樣品準備后將晶圓置于SEM設備中。對晶圓上與晶圓中心相距約刃3半徑且相互之間近似相隔⒇°的4個芯片進行檢查。