場效應管的主要性能參數

   本文在此主要以VDMOS(垂直雙擴散MOs)為例進行介紹。VDMOs的結構如圖5-20所示。ECE5011-NU

   VDMOs的電性能參數如下。

   (1)閾值電壓(開啟電壓)呢s⑾:柵電壓產生的電場控制著源漏間溝道區域流子的產生,使溝道區源端呈強反型時的柵源電壓稱為閾值電壓呢s。對于增強型場效應管為開啟電壓,對于耗盡型和結型場效應管為夾斷電壓。

   (2)漏一源擊穿電壓/l:幻Dss:漏一源擊穿電壓為場效應管進入恒流區后,使漏極電流驟然增大的漏一源極間電壓‰s電壓即為漏一源擊穿電壓。此參數為極限參數,超過此電壓場效應管會損毀。

   (3)柵極漏電流JGss:柵極漏電流測試是測試柵極在一定的電壓條件下的漏電流,其測試條件將設置‰F0,并將柵極電壓設置規定值進行柵極漏電流測試,此參數測試包括正向漏電流和反向漏電流兩個參數。

   (4)漏極漏電流rDss:漏極漏電流測試是測試漏極在一定的電壓條件下的漏電流,其測試條件將設置呢疒0,并將漏極電壓設置規定值,進行漏極漏電流測試。

   (5)導通電阻RDs⑾:導通電阻說明了漏極和源極電壓對漏極電流的影響,是轉移特性曲線的某點切線的斜率。對一般絕緣柵型場效應管的導通電阻一般在幾百Ω以內。

   (6)跨導瓿:跨導表示柵極和源極電壓對漏極電流的控制能力,即漏極電流變化量和柵一源電壓的變化量的比值。跨導是衡量場效應管放大能力的重要參數。

   (7)開通延遲時間兔㈣、上升時間緯、關斷延遲時間兔(。η、下降時間氏:定義如圖591所示。

   圖5-21 開通延遲時間,上升時間,關斷延遲時間,下降時間

   (8)寄生二極管正向壓降/sD、反向恢復時間轱(普通場效應管無此參數):這是表征漏一源二極管的特性參數,它的正向壓降與普通二極管相同,反向恢復時間標與普通整流管的相近。