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詳細討論該變頻調速系統的控制電路部分

發布時間:2019/7/22 21:34:44 訪問次數:585

   下面詳細討論該變頻調速系統的控制電路部分,包括構成它的主要器仵及接口電路。 H5DU2562GTR-E3C

    (1)HEF4752簡介

    HEF4752是采用CMOS工藝制造的大規模集成電路,專門用來產生三相SPWM信號,其主要特點為:

   ①能產生3對相位差120°的互補SPWM主控脈沖,適用于三相橋結構的逆變器。

   ②采用多載波比自動切換方式,隨著逆變器輸出頻率的降低,自動增加載波比,從而抑制低頻輸出時因高次諧波產生的轉矩脈動和噪聲等所造成的惡劣影響。調制頻率的可調節范圍為0~100Hz,且能使逆變器輸出電壓同步調節。

   ③為防止逆變器上、下橋臂直通,在每相主控脈沖間插入死區時間,死區時間連續可調。HEF4752為28腳雙列直插式標準封裝DIP芯片,如圖530所示。它有4個時鐘輸人,7個控制輸人,12個驅動信號輸出,3個控制輸出,各引腳功能描述如表53所示。

   



   下面詳細討論該變頻調速系統的控制電路部分,包括構成它的主要器仵及接口電路。 H5DU2562GTR-E3C

    (1)HEF4752簡介

    HEF4752是采用CMOS工藝制造的大規模集成電路,專門用來產生三相SPWM信號,其主要特點為:

   ①能產生3對相位差120°的互補SPWM主控脈沖,適用于三相橋結構的逆變器。

   ②采用多載波比自動切換方式,隨著逆變器輸出頻率的降低,自動增加載波比,從而抑制低頻輸出時因高次諧波產生的轉矩脈動和噪聲等所造成的惡劣影響。調制頻率的可調節范圍為0~100Hz,且能使逆變器輸出電壓同步調節。

   ③為防止逆變器上、下橋臂直通,在每相主控脈沖間插入死區時間,死區時間連續可調。HEF4752為28腳雙列直插式標準封裝DIP芯片,如圖530所示。它有4個時鐘輸人,7個控制輸人,12個驅動信號輸出,3個控制輸出,各引腳功能描述如表53所示。

   



相關IC型號
H5DU2562GTR-E3C
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