RM100DZ-2HMOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的縮寫），金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結構。用作開關元件。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管），同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性的功率晶體管。

傳導損耗、開關損耗，因元器件結構的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產生損耗。傳導損耗是電流流過元器件時（ON狀態時），受元器件的電阻分量影響而產生的損耗。開關損耗是切換元器件的通電狀態時（開關動作時）產生的損耗。

在大功率（高電壓×大電流）范圍中，與Si-IGBT相比，SiC MOSFET具有“開關損耗和傳導損耗*3小”、“抗溫度變化能力強”等優點。得益于這些優點，當SiC MOSFET用于電動汽車的車載充電器和DC/DC轉換器等產品中時，可降低功率轉換時的損耗并實現散熱部件的小型化，高頻工作還可實現線圈小型化，從而有助于提高應用的效率、減少部件數量并縮減安裝面積。

交換機和路由的帶寬密度，不會影響到與 QSFP-DD、QSFP56 和 QSFP28 模塊的向下兼容，因而可以為網絡運營商帶來商業和運營上的巨大優勢。QSFP-DD800 MSA將繼續作為孵化器來與 QSFP-DD MSA 開展協作，包含在 QSFP-DD 規范中。

QSFP-DD800多源協議 (MSA) 組織發布其第一版QSFP-DD800收發器硬件規范。MSA組織自成立起便致力于推動高速率、雙密度的QSFP模塊發展以支持800Gbps的連接。博通(Broadcom)、思科(Cisco)、II-VI高意、英特爾、瞻博網絡 (Juniper Networks)、Marvell、莫仕 (Molex)和Samtec等公司皆是該組織成員。QSFP-DD800 1.0 規范旨在作為現有的 QSFP-DD 5.0 規范的額外補充。由于信號密度和熱性能上的要求依然十分重要，收發器焊盤經過優化后可以提高每通道100 Gbps性能的信號完整性，而不會影響向下兼容性。新規范還定義了一種新型的 2x1 連接器/保持架，其中有線的上端口可作為一個選項來解決與傳統的印刷電路板有關的信號丟失問題。新版規范還額外定一個新的2x1連接器/籠，其對應線纜端口可以作為一個解決傳統PCB導致信號丟失問題的選擇。QSFP-DD800 的發起者將繼續開發新型連接器/籠的其他產品，包括在每通道 100 Gbps 速度下運行的 2x1 SMT 版本。

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