CY7C60323-PVXISiC二極管的浪涌能力要遠遠低于硅快速恢復二極管，很大一個原因是在浪涌條件下有很大的開態壓降。對于硅而言，該壓降可能只有 1-2V，而對于 SiC而言，可能達到 4-6V。由于 SiC 二極管晶粒要小得多，這種情況帶來了散熱挑戰。制造商采用圓片減薄技術來降低開態壓降，并降低熱阻。TO 和 DFN封裝中采用了先進的晶粒粘接方案，如銀 (Ag) 燒結，從而最大程度減少熱阻和阻止在浪涌條件下融化，而融化在傳統結中非常常見。這種特性能在約 8-12倍額定電流下提供充足浪涌能力。

從成品和電流額定值看，UnitedSiC 有 100A，1200V 和 200A，650V兩種二極管可用于功率模塊中。還有多種符合 AEC-Q101 要求的銀燒結（無 Pb，環保）二極管，可以用于汽車應用。

SiC 晶體管技術功率轉換的 650V 高性能 FET 的占市場主流的主要器件結構，氮化鎵 (GaN)

HEMT（高電子遷移率晶體管）是其中唯一的兩個源級端子都在晶片上表面的橫向器件。硅基超結器件運用電荷平衡原理，其中，相等的 N柱和 P柱摻雜質使得總凈電荷基本為零，因而可以快速消耗電壓支持，即使為了降低電阻而對 N 柱進行大量摻雜也是如此。單位面積采用的 N 柱有所增加，從而幫助將導通電阻降低到了傳統無電荷平衡的硅限制的近十分之一。硅基超結技術的年銷售額超過 10億美元，單位面積導通電阻 (RdsA)值低至 8mΩ-cm2，處于行業前沿，而其他技術的單位面積導通電阻 (RdsA)

值為 12-18mΩ-cm2。GaN HEMT 現在的開關行為非常出色，它的 RdsA 目前處于3-6mΩ-cm2 范圍內。這些橫向器件構建在硅襯底上，該襯底比 SiC 襯底便宜很多，但是目前的 GaN 器件仍比 Si器件貴很多。現在還有 650V 的 SiC 溝槽式和平面式 MOSFET，其 RdsA 范圍為2-4mΩ-cm2。UnitedSiC 第 2 代溝槽式 JFET (UJC06505K) 的 RdsA 值達到了0.75mΩ-cm2。這意味著 SiC JFET 晶粒體積可以達到硅晶粒的七分之一至十分之一，甚至可以遠遠小于 GaN 或 SiCMOSFET 結構。

制造商:STMicroelectronics

產品種類:8位微控制器 -MCU

RoHS: 詳細信息

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:LQFP-48

系列:STM8L052C6

核心:STM8

數據總線寬度:8 bit

最大時鐘頻率:16 MHz

程序存儲器大小:32 kB

數據 RAM 大小:2 kB

ADC分辨率:12 bit

輸入/輸出端數量:41 I/O

工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 85 C

程序存儲器類型:Flash

商標:STMicroelectronics

數據 Ram 類型:RAM

數據 ROM 大小:256 kB

數據 Rom 類型:EEPROM

接口類型:I2C, SPI, USART

濕度敏感性:Yes

ADC通道數量:25 Channel

計時器/計數器數量:4 Timer

處理器系列:STM8L052C6

產品類型:8-bit Microcontrollers - MCU

工廠包裝數量:1500

子類別:Microcontrollers - MCU

電源電壓-最大:3.6 V

電源電壓-最小:1.8 V

單位重量:181.700 mg

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