如果輸出電壓等于或者低于參考值減去滯環寬度的一半(VL=1.975V)時，控制器就斷開低端的MOSFET開通高端的MOSFET。這是功率級的開狀態，因為它會引起輸出電壓的上升。如果輸出電壓達到或者超過參考值加上滯環寬度的一半(VH=2.025V)時，控制器就斷開高端的MOSFET并開通低端的MOSFET。這是功率級的關狀態，因為它會引起輸出電壓的下降。滯環控制的方法能保持輸出電壓在參考電壓周圍滯環寬度的范圍內。當輸出負載電流增大或輸入電壓瞬態變化而使得輸出電壓偏離到滯環寬度以外，控制器將連續不斷地開通或關斷功率MOSFET，使輸出電壓返回到滯環的范圍內，在輸出濾波允許的條件下將以最快的速度對輸出電壓進行矯正。

芯片組都包含一個控制MOSFET和一個同步MOSFET，而每個器件都經過特別設計，在同步DC-DC降壓轉換器電路中發揮最佳性能。控制MOSFET具有更低的開關損耗，同步MOSFET的傳導損耗更低（低導通電阻），逆向恢復電荷也很低。

芯片組包含IRF6617控制場效應管和IRF6611同步場效應管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳的性能，每個功率通道可達20A。另一款芯片組則包含IRF6637控制場效應管和IRF6678同步場效應管，適用于每個功率通道高于20A的應用，可有效提升熱性能。

IRF6617控制場效應管采用小罐（ST）DirectFET封裝，IRF6637控制場效應管則采用中罐（MP）DirectFET封裝。為了方便修改現有設計，兩款同步場效應管都采用中罐（MX）DirectFET封裝，可以輕松地將IRF6611替換為IRF6678，滿足更大電流和散熱性能的需求。

有助于電路設計人員縮減高頻、大電流DC-DC轉換器的體積。這些轉換器適用于高檔電腦和服務器，以及先進的電信和數據通信系統。

IR的DirectFET MOSFET封裝已經獲得了專利，其中匯集了一系列標準塑料分立封裝不具備的設計優點。金屬腔構造能發揮雙面冷卻功能，把用以驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理效率增加一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均不含鉛和溴化物。

外部 MOSFET 的 RDS(ON) 檢測負載電流的電子斷路器 LTC4213，從而去除了對檢測電阻的需求。這種新方法不僅降低了開關通路上的電壓和功率損耗，而且降低了成本并簡化了設計。這尤其有利于低電壓系統，因為檢測電阻電壓降占去了極大部分電源電壓。就超低電壓應用而言，LTC4213 工作在 2.3V 至 6V 的偏置電源電壓范圍，并監視從地到 6V 的電壓。

電子斷路器提供 3 個引腳可選的 VDS 門限，分別為 25mV、50mV 和 100mV。所選擇的引腳可以動態步進，從而在啟動時允許更高斷路器門限，并在電源電流穩定后降低門限。該斷路器還通過集成快慢比較器，提供用于過流保護的雙電平和雙響應時間功能。這樣一來，通過區分輕微過流故障或災難性的短路狀態，進一步提高了斷路器的性能。

LTC4213 的精確性能使其非常適用于需要連續低壓電源保護的系統。LTC4213 采用 12 引線 DFN 封裝，規定工作于商用和工業溫度范圍，以 1,000 片為單位批量購買，每片起價為 1.50 美元。

性能概要：LTC4213

無需檢測電阻

把負載電壓控制在 0V 至 6V

響應時間為 1us 的快速斷路器

3個可選斷路器門限

雙電平過流保護

用于外部 N 溝道 FET 的高端驅動

欠壓閉鎖

斷路器待命中斷時 READY 引腳發出信號

小型塑料（3mm×2mm）DFN 封裝

(素材來源：21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）

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