串聯繞組電感變壓器的影響
發布時間:2020/8/6 18:20:42 訪問次數:3403
損耗是與工作頻率和最大工作磁通密度的二次方成正比。雖然這個損耗不如功率開關和整流器內部的損耗大，但是處理不當也會成為一個問題。在 100kHz 時，Bmax 應設定為材料飽和磁通密度 Bsat 的 50％。在 500kHz 時，Bmax 應設定為材料飽和磁通密度 Bsat 的 25％。在 1MHz 時，Bmax 應設定為材料飽和磁通密度 Bsat 的 10％。這是依據鐵磁材料在開關電源(3C8 等)中所表現出來的特性決定的。
渦流損耗比磁滯損耗小得多，工作頻率的提高而迅速增加，渦流是在強磁場中磁心內部大范圍內感應的環流。一般設計者沒有太多辦法來減少這個損耗。
電阻損耗是變壓器或電感內部繞組的電阻產生的損耗。有兩種形式的電阻損耗：直流電阻損耗和集膚效應電阻損耗。直流電阻損耗由繞組導線的電阻與流過的電流有效值二次方的乘積所決定。集膚效應是由于在導線內強交流電磁場作用下，導線中心的電流被“推向”導線表面而使導線的電阻實際增加所致，電流在更小的截面中流動使導線的有效直徑顯得小了。
漏感(用串聯于繞組的小電感表示)使一部分磁通不與磁心交鏈而漏到周圍的空氣和材料中。它的特性并不受與之相關的變壓器或電感的影響，因此繞組的反射阻抗并不影響漏感的性能。
漏感會帶來一個問題，因為它沒有將功率傳遞到負載，而是在周圍的元件中產生振蕩能量。在變壓器和電感的結構設計中，要控制繞組的漏感大小。每一個的漏感值都會不同，但能控制到某個額定值。
使用RX62T單片機設計的高效率數字電源
采用瑞薩高性能32-bit MCU RX62T （ 100MHz主頻，165DMIPS）實現軟件PFC及系統控制，無需專用PFC芯片，靈活補償功率因數（》0.99） ，節省成本。
MCU內部集成高頻率PWM， ADC，放大器， 比較器，方便實現高精度控制，高速反饋，及保護功能
采用瑞薩超低導通壓降的IGBT及低導通內阻Power MOSFET， 提高系統效率： PFC效率： 》 96.1% （@2KW）， ，DC\DC效率（DC405V到DC24V@10A ）： ~ 95%
使用RX62T單片機設計的高效率數字電源的電路
32位RX單片機和IGBT的數字電源解決方案方案及產品優勢
軟件PFC實現， 功率因數可達0.99，無需專用PFC芯片，靈活補償功率因數，節省成本。
可擴展通訊功能，通過與負載的通訊實現智能控制
高性能32bit MCU RX62T， 100MHz主頻，165DMIPS
MCU內 部高性能的PWM發生器可優化PFC及DC/DC電路設計，如通過提高PWM的頻率可有效減小DC/DC變壓器的尺寸
MCU內 部ADC、AMP （帶可編程增益放大器）、CMP （比較器），可與PWM輸出聯動，可實現高速反饋，及過壓過流、輸出短路等保護功能
DC\DC效 率（DC405V到DC24V@10A ）： ~ 95%
PFC效率（軟件PFC）： 》 96. 1% （@2KW）
功率因數（軟件PFC）：》 0.99 （@2KW）
超低導通壓降的IGBT可以有效提高PFC部分效率
采用LLC諧 振拓撲可以提高DC/DC部分效率
低導通內阻Power MOSFET可以提高DC/DC部分效率
(素材來源：elecfans.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
損耗是與工作頻率和最大工作磁通密度的二次方成正比。雖然這個損耗不如功率開關和整流器內部的損耗大，但是處理不當也會成為一個問題。在 100kHz 時，Bmax 應設定為材料飽和磁通密度 Bsat 的 50％。在 500kHz 時，Bmax 應設定為材料飽和磁通密度 Bsat 的 25％。在 1MHz 時，Bmax 應設定為材料飽和磁通密度 Bsat 的 10％。這是依據鐵磁材料在開關電源(3C8 等)中所表現出來的特性決定的。
渦流損耗比磁滯損耗小得多，工作頻率的提高而迅速增加，渦流是在強磁場中磁心內部大范圍內感應的環流。一般設計者沒有太多辦法來減少這個損耗。
電阻損耗是變壓器或電感內部繞組的電阻產生的損耗。有兩種形式的電阻損耗：直流電阻損耗和集膚效應電阻損耗。直流電阻損耗由繞組導線的電阻與流過的電流有效值二次方的乘積所決定。集膚效應是由于在導線內強交流電磁場作用下，導線中心的電流被“推向”導線表面而使導線的電阻實際增加所致，電流在更小的截面中流動使導線的有效直徑顯得小了。
漏感(用串聯于繞組的小電感表示)使一部分磁通不與磁心交鏈而漏到周圍的空氣和材料中。它的特性并不受與之相關的變壓器或電感的影響，因此繞組的反射阻抗并不影響漏感的性能。
漏感會帶來一個問題，因為它沒有將功率傳遞到負載，而是在周圍的元件中產生振蕩能量。在變壓器和電感的結構設計中，要控制繞組的漏感大小。每一個的漏感值都會不同，但能控制到某個額定值。
使用RX62T單片機設計的高效率數字電源
采用瑞薩高性能32-bit MCU RX62T （ 100MHz主頻，165DMIPS）實現軟件PFC及系統控制，無需專用PFC芯片，靈活補償功率因數（》0.99） ，節省成本。
MCU內部集成高頻率PWM， ADC，放大器， 比較器，方便實現高精度控制，高速反饋，及保護功能
采用瑞薩超低導通壓降的IGBT及低導通內阻Power MOSFET， 提高系統效率： PFC效率： 》 96.1% （@2KW）， ，DC\DC效率（DC405V到DC24V@10A ）： ~ 95%
使用RX62T單片機設計的高效率數字電源的電路
32位RX單片機和IGBT的數字電源解決方案方案及產品優勢
軟件PFC實現， 功率因數可達0.99，無需專用PFC芯片，靈活補償功率因數，節省成本。
可擴展通訊功能，通過與負載的通訊實現智能控制
高性能32bit MCU RX62T， 100MHz主頻，165DMIPS
MCU內 部高性能的PWM發生器可優化PFC及DC/DC電路設計，如通過提高PWM的頻率可有效減小DC/DC變壓器的尺寸
MCU內 部ADC、AMP （帶可編程增益放大器）、CMP （比較器），可與PWM輸出聯動，可實現高速反饋，及過壓過流、輸出短路等保護功能
DC\DC效 率（DC405V到DC24V@10A ）： ~ 95%
PFC效率（軟件PFC）： 》 96. 1% （@2KW）
功率因數（軟件PFC）：》 0.99 （@2KW）
超低導通壓降的IGBT可以有效提高PFC部分效率
采用LLC諧 振拓撲可以提高DC/DC部分效率
低導通內阻Power MOSFET可以提高DC/DC部分效率
(素材來源：elecfans.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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