高壓非隔離式同步降壓型開關穩壓器控制器LTC7801，該器件采用緊湊的 24 引線封裝，用于驅動一個全 N 溝道 MOSFET 功率級。其 4V 至 140V (150V 絕對最大值) 輸入電壓范圍專為采用一個高輸入電壓電源或一個具有高電壓浪涌的輸入工作而設計，從而免除了增設外部浪涌抑制器件的需要。LTC7801 在輸入電壓降到低至 4V 時繼續以高達 100% 的占空比操作，因而非常適合交通運輸、工業控制、機器人和數據通信應用。

在輸出電流高達 20A 的條件下，輸出電壓可設定在 0.8V 至 60V，并具有高達 96% 的效率。在輸出電壓處于調節狀態時，該器件在睡眠模式中僅吸收 40μA，非常適合始終保持接通的系統。一個內部充電泵允許 100% 的占空比和在壓差條件下工作，當在放電期間用電池供電時，這是一個有用的特性。LTC7801 強大的 1Ω N 溝道 MOSFET 柵極驅動器可在 5V 至 10V 的范圍內調節，以允許使用邏輯或標準電平 MOSFET 以最大限度地提升效率。為了在高輸入電壓應用中防止片內產生高功耗，LTC7801 具有一個 NDRV 引腳，該引腳可驅動一個任選外部 N 溝道 MOSFET 的柵極，此 MOSFET 充當一個向 IC 供電的低壓差線性穩壓器。EXTVCC引腳允許 LTC7801 從開關穩壓器的輸出或其他的可用電源供電，從而降低了功耗并改善效率。

說明：150V同步降壓型控制器

性能概要：LTC7801    

寬輸入電壓范圍：4V 至140V (150V 絕對最大值)

寬輸出電壓范圍：0.8V 至60V

輸出電流高達 20A

同步整流實現高達 96% 的效率

低的 40μA 靜態電流

100% 占空比能力

可調的 5V至10V 柵極驅動電壓以用于邏輯電平或標準門限 MOSFET

DCR 或RSENSE電流檢測

短的 80ns 最小導通時間用于實現高降壓比

可在輕負載時選擇連續、脈沖跳躍或低紋波突發模式運行

50kHz 至 900kHz 可選固定工作頻率

75kHz 至 850kHz PLL 可同步工作頻率

電流模式控制實現快速瞬態響應和簡易的環路補償

電源良好輸出信號

可調輸入過壓閉鎖

TSP系列還提供了改善的降額條件和更大的電容，以便確保在典型電壓水平下的低故障率，以及在使用堆疊配置T540和T541系列時的多種故障率方案。

TSP系列適用于許多應用，包括機載、地面和海軍設備，在這些情況下，GaN射頻（RF）半導體是設計的一部分。根據Yole Développement 2020年5月發布的一項報告*，GaN射頻（RF）應用的總國防市場預計將以22%的復合年增長率（CAGR）增長，到2025年將超過10億美元，而GaN RF的總市場到2025年將超過20億美元。該報告還指出，在雷達有源相控陣（AESA）系統中的應用以及對機載系統輕型設備的需求，是GaN RF國防市場的主要驅動力。TSP系列可以完全支持電信和工業應用中的其他大功率、高頻率和長壽命需求設計。

LTC7801 在 50kHz 至 900kHz 可選固定頻率范圍內運行，也可同步至 75kHz 至 850kHz 的外部時鐘。在輕負載時，用戶可以選擇強制連續運行、脈沖跳躍或低紋波突發模式 (Burst Mode®) 運行。其電流模式架構提供方便的環路補償、快速瞬態響應和出色的電壓穩定性。電流檢測通過檢測輸出電感器 (DCR) 兩端的壓降來完成以實現最高效率，或者通過使用一個可選的檢測電阻器完成。很短的 80ns 最小接通時間在高開關頻率時允許高降壓比。在過載情況下，電流折返限制了 MOSFET 產生的熱量。其他特點包括一個集成的自舉二極管、一個電源良好輸出信號、可調輸入過壓閉鎖和軟啟動。