不過微型凸塊不會很快在市場上消失，微型凸塊和混合鍵合技術都將在市場上占據一席之地，這取決于具體的應用。

智能設備如手機、PC、平板電腦甚至到自動駕駛汽車、智慧工廠、云視頻提供商，海量數據的產生正在快速驅動高速數據和模擬集成電路的增長需求，芯片復雜度也快速提升。

為滿足市場對IC高速測試的需求，史密斯英特康推出DaVinci56高速測試插座系列，可用于測試人工智能、自動駕駛、400G以太網交換機，路由器及網絡處理器等應用的集成芯片。

DaVinci測試插座應用,Imec 正在開發一種使用 TCB 實現的 10μm 間距技術，7μm 和 5μm 也正在研發中。40μm 凸塊間距有足夠的焊接材料來補償電流變化。當縮放到 10μm 或更小的間距時，情況將會發生變化，在細間距的微泵中，電流量和良好的連接取決于 TCB 工具的精度、錯位、傾斜以及焊料的變形量。

三款顯卡 : RTX 3090 24GB, RTX 3080 10GB 和 RTX 3070 8GB。

外媒稱，英偉達合作伙伴也在準備 RTX 3080 的第二種版本，顯存翻倍至 20GB，但目前這一型號還處于 “TBA”階段，可能會在稍后推出。

報道稱，GeForce RTX 安培顯卡將引入第二代光線追蹤核心和第三代張量核心，新卡還將支持 PCI Express 4.0，還有 HDMI 2.1 和 DisplayPort 1.4a 接口。

以下是 Videocardz 制作的參數表格：

GeForce RTX 3090 采用 GA102-300 GPU, 5248 CUDA 核心，384 bit 位寬，24GB GDDR6X 顯存，最大的理論帶寬 936 GB/s，350W 整板功率。

RTX 3080 擁有 4352 個 CUDA 核心 和 10GB 的 GDDR6X 顯存，320 bit 位寬，最大帶寬 760 GB/s ，TGP 為 320W。

220W，CUDA 的核心規格還有待確認。

外媒稱他們拿到的數據顯示RTX 30系列顯卡采用了7nm工藝，但不能完全確認。

混合鍵合技術正在發展，臺積電最有發言權，其正在研究一種叫做集成芯片系統（SoIC）的技術。使用混合鍵合，臺積電的 SoIC 技術可以實現低于微米的鍵合間距。據悉，SoIC 的緩沖墊間距是現有方案的 0.25 倍。高密度版本可以實現 10 倍以上的芯片到芯片的通信速度，高達近 2000 倍的帶寬密度和 20 倍的能源效率。

臺積電的 SoIC 計劃于 2021 年投入生產，可以實現小間距 HBM 和 SRAM 存儲立方體以及類似 3D 的芯片架構。繼承了 SoIC 的 DRAM 存儲器立方體可以提供更高的存儲器密度、帶寬和功率效率。”

臺積電正在開發芯片對晶圓（Chip-to-Wafer）的混合鍵合技術。晶圓鍵合已經在微機電系統（MEMS）和其他應用中使用多年，且類型眾多。微電子和微機電系統的制造和封裝依賴于兩個基板或晶片的鍵合，在微機電系統的制造過程中，器件晶圓將被粘合到另一個晶圓上，以保護敏感的 MEMS 結構。直接鍵合技術（例如熔融鍵合和陽極鍵合）或間接鍵合技術（例如金屬共晶、熱壓鍵合和膠粘劑鍵合）都是常用的方法。使用膠粘劑作為兩個基板之間的中間層，處理會更加靈活。

(素材來源：eccn和21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）