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耐能KL720芯片的3大優勢 三大優勢

發布時間:2020/9/10 23:15:12 訪問次數:2006

耐能KL720采用自主研發的KDP720系列NPU IP,內置ARM Cortex-M4 CPU、FPU與Cadence P6 DSP,算力最高可達1.5TOPS,并支持CNN與RNN。

憑借獨特可重構技術,其可重新配置IP,能在相同的硬件架構中支持不同的CNN模型,提升使用率高達70%。

耐能KL720芯片擁有三大優勢:

性能完備、功耗極低、安全性高、算力強大

可支持4K圖像、1080p高畫質影片和自然語言音頻處理

可支持設備抓取更多細節,精準識別臉部和語音

MobileNetV2測試結果,KL720的性能比市場上很多芯片的邊緣TPU高出4倍之多。

在性能完備的情況下,相較市場同類芯片,KL720將功耗降低了超過50%,能夠以極低的功耗為終端設備提供強大運算算力。

目前大疆無人機上使用的芯片,KL720可在保持各種性能不變的前提下,其功耗能降低一半,可將電池壽命延長一倍。

邊緣定位誤差導致VC-M1良率損失的7nm 6T SRAM模型,采用的技術包括結構構建、模型校準、虛擬量測、失效分類、良率預測和工藝窗口優化。分析結果表明通過工藝窗口優化功能和收緊規格要求可以將良率從48.4%提高到99.0%。可以看出,虛擬制造可廣泛應用于各種良率提升研究,而這些研究的結果將推動半導體工藝和技術的發展。

容量為4 Mb的EEPROM是目前市場上面向開發人員的最大容量EEPROM,將此前的2 Mb密度提高了一倍。到目前為止,開發人員在所有2Mb+非易失性數據集應用程序上一直采用的是低成本的NOR閃存集成電路。由于EEPROM性能超過NOR閃存,為滿足客戶要求,Microchip推出了容量更大的4Mb EEPROM。新款EEPROM的優勢包括:待機電流更低(從15 μA降低至2 μA),可執行單字節、多字節和整頁寫入、扇區擦除/重寫時間更短(從300 ms縮短至5 ms)和擦除/重寫次數更多(從10萬次提升至100萬次)。

充分挖掘串行EEPROM潛力可以為產品創新提供支持,設計人員現在可以對系統進行重新評估,并利用這項新技術來優化設計性能。

25CSM04型EEPROM是Microchip陣容龐大的非易失性存儲器產品組合的一部分。該產品組合集成了Microchip全部系統解決方案,支持8位、16位和32位單片機和微處理器。Microchip豐富的存儲器產品系列包括串行EEPROM、NOR閃存,SRAM和EERAM,這些產品支持所有串行總線標準,以及從128位至64Mb的所有標準密度。

Microchip公司始終致力于推出新的串行EEPROM,每年向客戶交付EEPROM器件約10億件。

Microchip的4Mb串行EEPROM器件受MPLABò串行存儲器產品入門工具包支持。該工具包含有串行存儲器接口板、串行EEPROM入門軟件包、USB電纜、包含MPLAB X的集成開發環境的光盤、Total Endurance™軟件模型和串行EEPROM接口工具。25CSM04 系列存儲器件提供三種封裝選項.


(素材:chinaaet.如涉版權請聯系刪除)

耐能KL720采用自主研發的KDP720系列NPU IP,內置ARM Cortex-M4 CPU、FPU與Cadence P6 DSP,算力最高可達1.5TOPS,并支持CNN與RNN。

憑借獨特可重構技術,其可重新配置IP,能在相同的硬件架構中支持不同的CNN模型,提升使用率高達70%。

耐能KL720芯片擁有三大優勢:

性能完備、功耗極低、安全性高、算力強大

可支持4K圖像、1080p高畫質影片和自然語言音頻處理

可支持設備抓取更多細節,精準識別臉部和語音

MobileNetV2測試結果,KL720的性能比市場上很多芯片的邊緣TPU高出4倍之多。

在性能完備的情況下,相較市場同類芯片,KL720將功耗降低了超過50%,能夠以極低的功耗為終端設備提供強大運算算力。

目前大疆無人機上使用的芯片,KL720可在保持各種性能不變的前提下,其功耗能降低一半,可將電池壽命延長一倍。

邊緣定位誤差導致VC-M1良率損失的7nm 6T SRAM模型,采用的技術包括結構構建、模型校準、虛擬量測、失效分類、良率預測和工藝窗口優化。分析結果表明通過工藝窗口優化功能和收緊規格要求可以將良率從48.4%提高到99.0%。可以看出,虛擬制造可廣泛應用于各種良率提升研究,而這些研究的結果將推動半導體工藝和技術的發展。

容量為4 Mb的EEPROM是目前市場上面向開發人員的最大容量EEPROM,將此前的2 Mb密度提高了一倍。到目前為止,開發人員在所有2Mb+非易失性數據集應用程序上一直采用的是低成本的NOR閃存集成電路。由于EEPROM性能超過NOR閃存,為滿足客戶要求,Microchip推出了容量更大的4Mb EEPROM。新款EEPROM的優勢包括:待機電流更低(從15 μA降低至2 μA),可執行單字節、多字節和整頁寫入、扇區擦除/重寫時間更短(從300 ms縮短至5 ms)和擦除/重寫次數更多(從10萬次提升至100萬次)。

充分挖掘串行EEPROM潛力可以為產品創新提供支持,設計人員現在可以對系統進行重新評估,并利用這項新技術來優化設計性能。

25CSM04型EEPROM是Microchip陣容龐大的非易失性存儲器產品組合的一部分。該產品組合集成了Microchip全部系統解決方案,支持8位、16位和32位單片機和微處理器。Microchip豐富的存儲器產品系列包括串行EEPROM、NOR閃存,SRAM和EERAM,這些產品支持所有串行總線標準,以及從128位至64Mb的所有標準密度。

Microchip公司始終致力于推出新的串行EEPROM,每年向客戶交付EEPROM器件約10億件。

Microchip的4Mb串行EEPROM器件受MPLABò串行存儲器產品入門工具包支持。該工具包含有串行存儲器接口板、串行EEPROM入門軟件包、USB電纜、包含MPLAB X的集成開發環境的光盤、Total Endurance™軟件模型和串行EEPROM接口工具。25CSM04 系列存儲器件提供三種封裝選項.


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