高功率步進電機控制驅動芯片

發布時間:2020/9/12 14:40:31 訪問次數:1508

氮化鎵(GaN)為第三代寬禁帶半導體材料，在高溫、高壓、高頻等應用場合其半導體器件的特性都要優于Si基半導體器件，因此，在電力電子的應用領域備受矚目。

用GaN材料制成的功率器件GaN FET具有低的擊穿電壓、低的閾值電壓、低的柵極電荷Qg，其開關頻率高，導通電阻小。GaN FET優越的特性與其器件結構有極大的關系。但是它的缺點也不可忽視，在高頻應用場合表現極為明顯，比如其對寄生參數極其敏感，高頻使用時極易使柵極電壓產生振蕩，引起柵極過電壓，導致器件工作不穩定，甚至不安全。

因此相較于傳統的Si基半導體器件的驅動電路，GaN FET的驅動要求更為嚴苛。GaN FET的進步、應用的發展與其器件結構和驅動電路有密不可分的聯系，因此，其器件結構和驅動電路的研究很有意義。

制造商:Toshiba產品種類:MOSFETRoHS:

技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DSOP-8晶體管極性:N-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續漏極電流:50 ARds On-漏源導通電阻:15.4 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:22 nC最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:142 W通道模式:Enhancement商標名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single

系列:

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Toshiba

下降時間:12 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:8 ns

5000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:36 ns

典型接通延遲時間:20 ns

帶串行通信接口的高功率步進電機控制驅動芯片TMC5160, 將實現自動目標定位的靈活斜坡發生器和業界最先進的步進電機驅動器結合在一起。通過外置MOSFET，實現高動態、高扭矩電機驅動。Trinamic先進的spreadCycle和stealthChop斬波器、驅動器，可以絕對無噪音地運行，并實現最大效率和最佳電機扭矩控制。TMC5160的高集成度、高能效和小外形尺寸的特性，使系統小型化和性能可擴展變得可行，從而讓經濟、高效的解決方案得以實現。完整的解決方案在實現高性能基礎上，能將學習時間盡可能縮短，加快產品上市時間。

簡單易用和成本效益原則是Trinamic設計師在設計步進電機驅控芯片時的指導方針。TMC5160將強大的步進電機驅動器和運動控制器集成在一塊芯片上，將數字信息直接轉換為平滑、精確、可靠的物理運動，被廣泛地用于機器人、工業驅動、紡織、縫紉機、包裝、工廠和實驗室自動化、高速 3D 打印機、液體處理、醫療、辦公自動化、視頻監控、自動取款機和現金回收機等應用中。