P型柵結構的GaN FET，與耗盡型不同的是，P型柵結構是在AlGaN勢壘層上生長了一個帶正電的P型GaN柵極，如圖2中的P-GaN層。P型GaN層可以拉升AlGaN勢壘層的能帶，起到耗盡2DEG的作用，以實現常斷特性。當施加足夠的正VGS時，使柵源電壓大于閾值電壓，P-GaN層的內電場被削弱，2DEG濃度上升，形成導通溝道，GaN FET器件導通。隨著VGS的降低且小于閾值電壓，溝道又逐漸關閉，GaNFET器件關斷。這種結構主要是通過控制P型柵極勢壘的電位，升降AlGaN勢壘層的能帶，使2DEG的濃度改變來實現對GaNFET器件的通斷控制。

在P型柵結構的基礎上，采用在P-GaN層上沉積TiN金屬，形成三層掩膜的柵極結構，從而實現肖特基接觸，。這種結構存在柵極場板，可增加高壓應用場板設計的靈活性。實驗證明，這種結構具有低柵極電阻、降低高漏源電壓VDS時的導通電阻RDS-ON等優勢，且相比采用歐姆接觸的P-GaN結構，此結構降低了柵極漏電流。

增強型GaN FET的低柵源電壓VGS、低閾值電壓VTH以及寄生參數等影響,使得傳統的Si驅動電路不再適用于GaN，GaNFET的驅動要求更為嚴格，其驅動電路至少具備以下三個功能：

驅動信號可靠性。驅動信號的可靠性對于驅動電路來說是很重要的，驅動信號一旦不穩定極有可能損壞GaN器件。一定要保證驅動信號可靠傳輸。一般在通信系統中或使用頻率在兆赫茲等級以上時，常用微波驅動，技術來傳輸驅動信號。

抗擾性能。GaN FET的低閾值電壓使其對di/dt、dv/dt和寄生電感極其敏感，若驅動的抗擾性不好，開關頻率的增加不僅使器件損耗增多，嚴重時還會損壞器件。因此，驅動需要較好的抗擾性。一般采取減小共源電感、增加驅動電阻等方法提高驅動抗擾性。

漏源回路寄生電感小。GaN FET柵極信號的噪聲和振蕩很強，一旦回路寄生電感過大會導致關斷時出現過電壓和寄生振蕩，導致額外的損耗。因此可優化驅動回路，減小寄生電感。

如果步進電動機繞組的每一次通斷電操作稱為一拍，每拍中只有一相繞組通電，其余斷電，這種通電方式稱為單相通電方式。

步進電機的通電方式,三相單三拍其通電順序為A—B—C—A。“三相”是指三相步進電機，“單”是指每次只有一盯繞組通電，“三拍”是指三種通電狀態為一具循環。

這種方式每次只有一相通電，容易使轉子在平衡位置上發生振蕩，穩定性不好。而且在轉換時，由于一相斷電時，另一相剛開始通電，易失步（指不能嚴格地對應一個脈沖轉一步），因而不常采用這種通電方式。

雙相雙三拍其通電順序為AB—BC—CA—CB

這種通電方式由于兩相同時通電，轉子受到的感應力矩大，靜態誤差小，定位精度高，而且轉換時始終有一相通電，可以工作穩定，不易失步。

三相六拍其通電順序為A—AB—B—BC—C—CA—A

這是單、雙相輪流通電的方式，它具有雙一拍的特點，且由于通電狀態數增加一倍，而使步距角減少一倍。

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