帶寬和更低功耗之外的實用性
發布時間:2020/9/17 22:46:15 訪問次數:918
完整的Lakefield封裝尺寸僅為12x12x1mm,可在筆記本電腦和智能手機之間實現新型設備。但是我們不希望Foveros僅服務于低功耗應用。在2019年HotChips問答環節中,英特爾研究員Wilfred Gomes 預測了該技術的未來普及性。我們設計Foveros的方式,它涵蓋了整個計算范圍,從最低端的設備到最高端的設備。
微縮為我們提供了另一個需要考慮的變量,封裝路線圖按互連密度(每平方毫米的微凸起數量)和功率效率(每傳輸的數據比特消耗的能量pJ)繪制了每種技術。除Foveros之外,英特爾還追求芯片上混合鍵合,以進一步推動這兩個指標。期望達到超過10,000個凸塊/mm?和小于0.05 pJ / bit。
混合使用2.5D和3D封裝技術可產生Co-EMIB,從而可以在同一封裝上實現大于標線的基本裸片以及Foveros裸片堆疊。
制造商
Microchip Technology
制造商零件編號
SST89V516RD2-33-C-TQJE
描述
IC MCU 8BIT 72KB FLASH 44TQFP
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL) 3(168 小時)
詳細描述 8051-微控制器-IC-series-8-位-33MHz-72KB(72K-x-8)-閃存-44-TQFP(10x10)
核心處理器 8051
核心尺寸 8-位
速度 33MHz
連接性 EBI/EMI,SPI,UART/USART
外設 欠壓檢測/復位,POR,WDT
I/O 數 36
程序存儲容量 72KB(72K x 8)
程序存儲器類型 閃存
EEPROM 容量 -
RAM 容量 1K x 8
電壓 - 電源(Vcc/Vdd) 2.7V ~ 3.6V
數據轉換器 -
振蕩器類型 外部
工作溫度 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 44-TQFP
供應商器件封裝 44-TQFP(10x10)
但是先進的封裝技術可以提供更高帶寬和更低功耗之外的實用性。EMIB和Foveros的組合-被稱為Co-EMIB-有望提供超越任何一種方法的擴展機會。尚無Co-EMIB的實際示例。想象大型有機程序包具有連接Fovoros堆棧的嵌入式橋,這些橋結合了加速器和內存以進行高性能計算。
英特爾的全向接口(ODI)通過彼此相鄰地連接小芯片,連接垂直堆疊的小芯片并直接通過銅柱為堆疊中的頂部芯片供電,從而提供了更大的靈活性。這些支柱比Foveros堆疊中穿過基本芯片的TSV大,從而最大程度地降低了電阻并改善了功率輸出。可以任意方向連接管芯并在較小的頂部堆疊較大的瓦片的自由度為Intel提供了迫切需要的布局靈活性。在Foveros的功能基礎上,這看起來是一項很有前途的技術。
(素材:chinaaet和ttic.如涉版權請聯系刪除)
完整的Lakefield封裝尺寸僅為12x12x1mm,可在筆記本電腦和智能手機之間實現新型設備。但是我們不希望Foveros僅服務于低功耗應用。在2019年HotChips問答環節中,英特爾研究員Wilfred Gomes 預測了該技術的未來普及性。我們設計Foveros的方式,它涵蓋了整個計算范圍,從最低端的設備到最高端的設備。
微縮為我們提供了另一個需要考慮的變量,封裝路線圖按互連密度(每平方毫米的微凸起數量)和功率效率(每傳輸的數據比特消耗的能量pJ)繪制了每種技術。除Foveros之外,英特爾還追求芯片上混合鍵合,以進一步推動這兩個指標。期望達到超過10,000個凸塊/mm?和小于0.05 pJ / bit。
混合使用2.5D和3D封裝技術可產生Co-EMIB,從而可以在同一封裝上實現大于標線的基本裸片以及Foveros裸片堆疊。
制造商
Microchip Technology
制造商零件編號
SST89V516RD2-33-C-TQJE
描述
IC MCU 8BIT 72KB FLASH 44TQFP
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL) 3(168 小時)
詳細描述 8051-微控制器-IC-series-8-位-33MHz-72KB(72K-x-8)-閃存-44-TQFP(10x10)
核心處理器 8051
核心尺寸 8-位
速度 33MHz
連接性 EBI/EMI,SPI,UART/USART
外設 欠壓檢測/復位,POR,WDT
I/O 數 36
程序存儲容量 72KB(72K x 8)
程序存儲器類型 閃存
EEPROM 容量 -
RAM 容量 1K x 8
電壓 - 電源(Vcc/Vdd) 2.7V ~ 3.6V
數據轉換器 -
振蕩器類型 外部
工作溫度 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 44-TQFP
供應商器件封裝 44-TQFP(10x10)
但是先進的封裝技術可以提供更高帶寬和更低功耗之外的實用性。EMIB和Foveros的組合-被稱為Co-EMIB-有望提供超越任何一種方法的擴展機會。尚無Co-EMIB的實際示例。想象大型有機程序包具有連接Fovoros堆棧的嵌入式橋,這些橋結合了加速器和內存以進行高性能計算。
英特爾的全向接口(ODI)通過彼此相鄰地連接小芯片,連接垂直堆疊的小芯片并直接通過銅柱為堆疊中的頂部芯片供電,從而提供了更大的靈活性。這些支柱比Foveros堆疊中穿過基本芯片的TSV大,從而最大程度地降低了電阻并改善了功率輸出。可以任意方向連接管芯并在較小的頂部堆疊較大的瓦片的自由度為Intel提供了迫切需要的布局靈活性。在Foveros的功能基礎上,這看起來是一項很有前途的技術。
(素材:chinaaet和ttic.如涉版權請聯系刪除)
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