基站主控芯片采用F RE E SC A L E 公司生產的MC9S08DZ60，它可以通過SPI 串行總線對射頻接收芯片MC33596 參數進行配置與通信。MC9S08DZ60 內部集成了2 個SCI(LIN)模塊，可通過一路LIN 總線實現對低頻收發芯片PJF7992 的控制，另一路LIN總線實現對發動機電控單元(ECU)與門控相關執行機構傳送命令。在汽車安全防盜系統中加入LIN總線接。

多輸入動態mux復雜時鐘、IP模塊多內部輸出時鐘等復雜的時鐘結構，采用分析時鐘框圖及基于Innovus工具從網表中提取時鐘結構的分析方式進行時鐘結構上的詳細梳理，提出針對時鐘結構分析及clock spec的優化方法。

在一個超大規模的16 nm top design上基于優化后的clock spec進行CTS，并結合multi-tap的clock tree做法，從得到的結果可以發現在run time、clock latency等方面都有較大的提升，能夠滿足項目要求的時鐘長度等要求，有效避免block接口的時序沖突。

高精度頻率穩定技術需要價格昂貴，體積較大的高穩腔、吸收池等作為頻率參考，并通過復雜的電學/光學反饋技術，限制了其在光纖傳感、激光雷達等工業領域的應用。低成本、高魯棒性的光纖激光器噪聲抑制技術研究，具有重要的意義。

對光纖激光器諧振腔等效熱膨脹系數的控制，實現腔內熱光效應的精細調控，在激光腔內部構建激光器頻率的自反饋機制。通過理論推導和實驗研究，實現20dB的光纖激光器低頻頻率噪聲抑制和熱噪聲極限的光纖激光輸出。

研究對自反饋機制下的光纖激光器強度噪聲、環境魯棒性等性能進行全面的研究測試，證實了該技術的先進性。該研究有望有效推動單頻光纖激光器在激光雷達、光纖傳感等相關工業領域的應用。

從500納米（nm）、350納米、250納米、180納米、150納米、130納米、90納米、65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、10納米、7納米，一直發展到現在的5納米，未來還有3納米、2納米制程出現。

集成電路的制程工藝乘以0.714即可得出下一代集成電路的制程工藝，如350納米*0.714=249.9納米≈250納米，再比如7納米*0.714=4.998納米≈5納米。這就是著名的登納德縮放比例定律（Dennard scaling），該定律源于1974年Robert H. Dennard參與完成的一篇論文，定律表明，晶體管的尺寸在每一代技術中都縮小了30%（0.7倍），因此它們的面積減少了50%。這意味著電路減少了30% （0.7倍）的延遲，因此增加了約40%（1.4倍）的工作頻率。最后，為了保持電場恒定，電壓降低了30%，能量降低了65%，功率降低了50%。因此，在每一代技術中，晶體管密度增加一倍，電路速度提高40%，功耗保持不變。

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