非隔離電源損壞的根源
發布時間:2020/10/3 18:02:22 訪問次數:2668
非隔離電源損壞的根源就是電源 AC 線兩端的浪涌電壓所致,也可以這么說,雷擊浪涌吧,這種電壓是加在電壓 AC 線兩端的瞬間高壓,有時高達三千伏,但時間很短,能量卻極強,在打雷時會發生,或是在同一條 AC 線上,當一個大的負載斷開瞬間,因為電流慣性的原因也會發生,這個電壓進入電源,對于非隔離 BUCK 電路,會瞬間傳達到輸出,擊壞恒流檢測環,或是進一步擊壞芯片,造成 300v 直通,而燒掉整條燈管。
對于隔離反激電源,會擊壞 MOS,現象就是保管,芯片,MOS 管全燒壞。現在 LED 驅動電源,在使用過程中壞的,80%以上都是這兩種類似現象。
小型開關電源,就算是電源適配器,也經常損壞的是這個現象,均是浪涌電壓所致,而在 LED 電源里,表現的更加普遍,這是因為 LED 的負載特性是特別的怕浪涌電壓的。
FMT1030評估套件旨在支持FMT1000系列的評估,特別是FMT1030航姿參考系統。FMT1000系列是一個輸出3D方向、3D轉速、3D加速度和3D磁場的模塊。
它專門設計用于具有振動抑制,強大的傳感器融合算法和高更新率的工業應用。FMT1000系列可以針對任何應用進行配置。
制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3通道數量:1 Channel晶體管極性:P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:12 VId-連續漏極電流:4.3 A
電源分配結構的負載數目不斷增加,而且負載本身也越趨復雜,因此系統設計工程師必須解決負載電源的管理問題。
像現場可編程門陣列及數字信號處理器等復雜負載尤其需要電源供應系統為其核心及輸入/輸出分別提供不同的供電。
根據摩爾定律的預測,核心處理器將會越趨小巧精密,而且通常以1伏或更低的電壓操作,但輸入/輸出則受制于通信接口標準,只能以傳統的電壓(例如3.3或5.0伏)操作。
由于這些子電路通常都被集成電路內置的反向偏壓靜電釋放二極管所分隔,集成電路的供電必須按照特定的次序提供及終止,而且系統必須跟蹤供電情況,以免電路出現鎖定及損毀。
(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
非隔離電源損壞的根源就是電源 AC 線兩端的浪涌電壓所致,也可以這么說,雷擊浪涌吧,這種電壓是加在電壓 AC 線兩端的瞬間高壓,有時高達三千伏,但時間很短,能量卻極強,在打雷時會發生,或是在同一條 AC 線上,當一個大的負載斷開瞬間,因為電流慣性的原因也會發生,這個電壓進入電源,對于非隔離 BUCK 電路,會瞬間傳達到輸出,擊壞恒流檢測環,或是進一步擊壞芯片,造成 300v 直通,而燒掉整條燈管。
對于隔離反激電源,會擊壞 MOS,現象就是保管,芯片,MOS 管全燒壞。現在 LED 驅動電源,在使用過程中壞的,80%以上都是這兩種類似現象。
小型開關電源,就算是電源適配器,也經常損壞的是這個現象,均是浪涌電壓所致,而在 LED 電源里,表現的更加普遍,這是因為 LED 的負載特性是特別的怕浪涌電壓的。
FMT1030評估套件旨在支持FMT1000系列的評估,特別是FMT1030航姿參考系統。FMT1000系列是一個輸出3D方向、3D轉速、3D加速度和3D磁場的模塊。
它專門設計用于具有振動抑制,強大的傳感器融合算法和高更新率的工業應用。FMT1000系列可以針對任何應用進行配置。
制造商:Infineon產品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3通道數量:1 Channel晶體管極性:P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:12 VId-連續漏極電流:4.3 A
電源分配結構的負載數目不斷增加,而且負載本身也越趨復雜,因此系統設計工程師必須解決負載電源的管理問題。
像現場可編程門陣列及數字信號處理器等復雜負載尤其需要電源供應系統為其核心及輸入/輸出分別提供不同的供電。
根據摩爾定律的預測,核心處理器將會越趨小巧精密,而且通常以1伏或更低的電壓操作,但輸入/輸出則受制于通信接口標準,只能以傳統的電壓(例如3.3或5.0伏)操作。
由于這些子電路通常都被集成電路內置的反向偏壓靜電釋放二極管所分隔,集成電路的供電必須按照特定的次序提供及終止,而且系統必須跟蹤供電情況,以免電路出現鎖定及損毀。
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