全球先進工藝芯片IP和定制，擁有自主全系列高帶寬高性能計算IP技術，多次在先進工藝上填補國內空白，核心技術支持了全球客戶數十億顆高端SOC量產。

自2019年始，芯動在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下，團隊全程攻堅克難，投入數千萬元設計優化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片經過數月多輪測試迭代，助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。

芯動科技與全球知名代工廠已有多年國產IP生態共建的合作，為大量國內和全球客戶實現從成熟工藝（55nm、40nm、28nm、22nm等)到先進工藝（如FinFET 14nm、12nm、7nm等）的不斷跨越，在各先進工藝中規模IP授權和定制批量生產高端SOC，包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先進技術規模量產，連續多年獲得中芯國際“最佳IP合作伙伴”獎。

芯動科技基于國產N+1新工藝的率先里程碑NTO流片驗證成功，為國產半導體生態鏈再立新功。

制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細信息產品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:1.75 V在25 C的連續集電極電流:150 A柵極—射極漏泄電流:100 nA最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:Module封裝:Bulk商標:Infineon Technologies柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:SMD/SMTPd-功率耗散:790 W工廠包裝數量:10

標準包裝 3,000包裝 標準卷帶零件狀態有源類別產品族PMIC - 電池充電器系列-其它名稱296-39552-2

規格電池化學鋰離子/聚合物電池數1電流 - 充電恒流 - 可編程可編程特性電流故障保護過流，超溫，過壓充電電流 - 最大值3A電池組電壓4.4V（最大）電壓 - 供電（最高）6.2V接口I2C，USB工作溫度-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型表面貼裝型封裝/外殼24-VFQFN 裸露焊盤供應商器件封裝24-VQFN（4x4）

在5G無線基站、交換機等設備的主控芯片上，中興自研的7納米芯片已實現市場商用，5納米還在實驗階段。

中興在芯片、操作系統的自主創新發展，以前我們都是自用。實際上我們投入了大量的人員在搞研發，比如成都有近4000人在研發自主操作系統。

中興通訊的7納米和5納米芯片均為5G基站用的芯片。中興也是中國當前量產7納米導入5納米的企業。

中興通訊回應過有關7nm、5nm半導體芯片的傳聞，其表示，在芯片設計領域，中興通訊專注于通信芯片的設計，并不具備芯片生產制造能力。在專用通信芯片的設計上，公司有20多年的經驗積累，具備從芯片系統架構到后端物理實現的全流程定制設計能力。