ISOdriver則通過將隔離器及驅動器集成至單芯片中，將外部物料清單精簡至只需三個電容器及一個二極管，這讓隔離型高側/低側 (high-side/low-side) 或是雙低側 (dual low-side) 驅動器解決方案僅占200平方毫米的面積。

相較于以光耦合器為基礎的解決方案，Si823x ISOdriver系列能提供許多性能上的改善。例如通過唯一隔離型/高側/低側的4安培驅動器，ISOdriver系列能顯著地改善MOSFET的開關次數，而減少FET開關周期的功耗則能讓供電更有效率。

通過避免使高側和低側MOSFET在同一時間啟動，則可有效改善集成型重疊防護的效率。傳統光學隔離器解決方案的傳遞延遲可能高達數百納秒或甚至更久，ISOdriver的傳遞延遲則縮短許多，最多只有50納秒，如此能增加時序容限并改善操縱性，以提供更佳的整體性能和穩定性。

制造商: Texas Instruments產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: WSON-FET-6

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續漏極電流: 5 A

Rds On-漏源導通電阻: 32 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.3 V

Qg-柵極電荷: 2.1 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.3 W

資格: AEC-Q101

商標名: NexFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 0.75 mm

長度: 2 mm

系列: CSD17313Q2Q1

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 2 mm

商標: Texas Instruments

正向跨導 - 最小值: 16 S

下降時間: 1.3 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 3.9 ns

工廠包裝數量: 3000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 4.2 ns

典型接通延遲時間: 2.8 ns

單位重量: 8.700 mg

由于ISOdriver是基于CMOS進行設計，因此并不會像光學耦合器解決方案會隨著時間和溫度改變而產生性能不穩的狀況。ISOdriver基于CMOS的獨特設計還提供其它的好處，例如能提供更高精度的產品間變異，以避免在系統組裝后還必需要進行工廠篩檢或是分級。

除了性能、集成度和穩定性等優點外，Si823x系列的特點還包括可編程化的空載時間，讓使用者能針對效率進行最佳化。

Si823x系列已開始供貨，每千顆的單價介于1.15至1.60美元之間，根據類型及峰值輸入電流的不同而有所差異。Si823x提供三種輸入類型，并提供0.5和4安培峰值輸出電流。也提供雙線和脈寬調制(PWM) 等兩種控制接口。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）