嵌入高邊柵極驅動集成的自舉二極管
發布時間:2020/10/22 22:50:15 訪問次數:1726
650V增強模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,先進的功率系統級封裝,集成了柵極驅動器和兩個半橋配置的增強模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源極擊穿電壓,而嵌入高邊柵極驅動很容易由集成的自舉二極管供電.
MASTERGAN1對低和高驅動部分具有UVLO保護,以防止功率開關在低效率或危險條件下工作,而交錯時鐘功能避免了交叉導通的出現.漏極電流(IDS(MAX))為10 A,3.3V到15V兼容輸入,具有超溫保護.主要用在開關電源,充電器和適配器,高壓PFC,DC/DC和DC/AC轉換器,UPS系統和太陽能電源.
主要特長
與我司原有產品相比,縮小約20%(體積比),實現了超小型化。
通過提高構成輕觸開關零部件的加工精度和組裝精度,實現了超小型化。
新型LS165 長2.6mm × 寬1.4mm × 高0.55mm
現有型號LS160 長2.8mm × 寬1.6mm × 高0.55mm
高防塵・高防水性能
簧片觸點部為密封構造,可確保高防塵和高防水(相當于IP67等級)。
應對側面壓力的強化結構
通過將按壓部內藏于產品內部,提高應對側面壓力的強度。
輕觸開關,擁有獨有的精密加工技術,實現了產品的小型化和薄型化,在全球智能手機的電源按壓開關和音量控制輕觸開關的市場份額具領先地位。
32位MCU逐漸取代低端的8位和16位產品,成為滿足算力需求,支持聯網通信、提高處理性能的核心部件。兆易創新把握時機,依托先進的Arm架構技術,從產品研發、體系布局、人才培養等方面同時入手,持續構建面向未來的MCU全生態。
在產品及其衍生生態領域,兆易創新自2011年與Arm公司合作以來,基于Arm架構研發布局了多條從低成本到高性能的MCU產品線,持續打造和完善基于Arm架構的產品矩陣。
公司推動最新的Cortex-M23、Cortex-M33內核向嵌入式設計的縱深領域拓展,推出了GD32這一中國最大的Arm MCU家族。迄今該系列產品以累計接近5億顆的出貨數量,超過2萬家客戶數量,共計27個系列360余款產品的應用覆蓋率居同類產品中國市場占有率首位,覆蓋了工業控制、消費電子、汽車周邊等大多數終端應用領域,并積極向垂直市場拓展延伸。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
650V增強模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,先進的功率系統級封裝,集成了柵極驅動器和兩個半橋配置的增強模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源極擊穿電壓,而嵌入高邊柵極驅動很容易由集成的自舉二極管供電.
MASTERGAN1對低和高驅動部分具有UVLO保護,以防止功率開關在低效率或危險條件下工作,而交錯時鐘功能避免了交叉導通的出現.漏極電流(IDS(MAX))為10 A,3.3V到15V兼容輸入,具有超溫保護.主要用在開關電源,充電器和適配器,高壓PFC,DC/DC和DC/AC轉換器,UPS系統和太陽能電源.
主要特長
與我司原有產品相比,縮小約20%(體積比),實現了超小型化。
通過提高構成輕觸開關零部件的加工精度和組裝精度,實現了超小型化。
新型LS165 長2.6mm × 寬1.4mm × 高0.55mm
現有型號LS160 長2.8mm × 寬1.6mm × 高0.55mm
高防塵・高防水性能
簧片觸點部為密封構造,可確保高防塵和高防水(相當于IP67等級)。
應對側面壓力的強化結構
通過將按壓部內藏于產品內部,提高應對側面壓力的強度。
輕觸開關,擁有獨有的精密加工技術,實現了產品的小型化和薄型化,在全球智能手機的電源按壓開關和音量控制輕觸開關的市場份額具領先地位。
32位MCU逐漸取代低端的8位和16位產品,成為滿足算力需求,支持聯網通信、提高處理性能的核心部件。兆易創新把握時機,依托先進的Arm架構技術,從產品研發、體系布局、人才培養等方面同時入手,持續構建面向未來的MCU全生態。
在產品及其衍生生態領域,兆易創新自2011年與Arm公司合作以來,基于Arm架構研發布局了多條從低成本到高性能的MCU產品線,持續打造和完善基于Arm架構的產品矩陣。
公司推動最新的Cortex-M23、Cortex-M33內核向嵌入式設計的縱深領域拓展,推出了GD32這一中國最大的Arm MCU家族。迄今該系列產品以累計接近5億顆的出貨數量,超過2萬家客戶數量,共計27個系列360余款產品的應用覆蓋率居同類產品中國市場占有率首位,覆蓋了工業控制、消費電子、汽車周邊等大多數終端應用領域,并積極向垂直市場拓展延伸。
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