流水線模數轉換器閘極漏電流
發布時間:2020/11/3 23:31:42 訪問次數:988
新的研究開始使用金屬閘極,不過大部分的制程還是以多晶硅閘極為主。關于閘極結構的改良,還有很多研究集中在使用不同的閘極氧化層材料來取代二氧化硅,例如使用高介電系數介電材料(high-K dielectric),目的在于降低閘極漏電流(leakage current)。
流水線模數轉換器的數字部分一般是用來進行數字校正或是數字校準,當只有數字校正的時候,數字電路只需要一些延遲寄存器和進位全加器,而當采用數字校準技術的時候數字電路就很復雜了,其中會包括時序產生電路、誤差系數RAM,累加器,有時還會需要乘法或除法器。
采用CMOS技術可以將成對的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)集成在一塊硅片上。該技術通常用于生產RAM和交換應用系統,在計算機領域里通常指保存計算機基本啟動信息(如日期、時間、啟動設置等)的ROM芯片。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同構成,它的特點是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間要么PMOS導通、要么NMOS導通、要么都截至,比線性的三極管(BJT)效率要高得多,因此功耗很低。
數碼相機領域,CMOS制造工藝也被應用于制作數碼影像器材的感光元件(常見的有TTL和CMOS),尤其是片幅規格較大的單反數碼相機。
在用途上與過去CMOS電路主要作為固件或計算工具的用途非常不同,但基本上它仍然是采取CMOS的工藝,只是將純粹邏輯運算的功能轉變成接收外界光線后轉化為電能,再透過芯片上的模-數轉換器(ADC)將獲得的影像訊號轉變為數字信號輸出。
相對于其他邏輯系列,CMOS邏輯電路具有一下優點:
允許的電源電壓范圍寬,方便電源電路的設計
邏輯擺幅大,使電路抗干擾能力強
靜態功耗低
隔離柵結構使CMOS期間的輸入電阻極大,從而使CMOS期間驅動同類邏輯門的能力比其他系列強得多
(素材來源:21ic和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
新的研究開始使用金屬閘極,不過大部分的制程還是以多晶硅閘極為主。關于閘極結構的改良,還有很多研究集中在使用不同的閘極氧化層材料來取代二氧化硅,例如使用高介電系數介電材料(high-K dielectric),目的在于降低閘極漏電流(leakage current)。
流水線模數轉換器的數字部分一般是用來進行數字校正或是數字校準,當只有數字校正的時候,數字電路只需要一些延遲寄存器和進位全加器,而當采用數字校準技術的時候數字電路就很復雜了,其中會包括時序產生電路、誤差系數RAM,累加器,有時還會需要乘法或除法器。
采用CMOS技術可以將成對的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)集成在一塊硅片上。該技術通常用于生產RAM和交換應用系統,在計算機領域里通常指保存計算機基本啟動信息(如日期、時間、啟動設置等)的ROM芯片。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同構成,它的特點是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間要么PMOS導通、要么NMOS導通、要么都截至,比線性的三極管(BJT)效率要高得多,因此功耗很低。
數碼相機領域,CMOS制造工藝也被應用于制作數碼影像器材的感光元件(常見的有TTL和CMOS),尤其是片幅規格較大的單反數碼相機。
在用途上與過去CMOS電路主要作為固件或計算工具的用途非常不同,但基本上它仍然是采取CMOS的工藝,只是將純粹邏輯運算的功能轉變成接收外界光線后轉化為電能,再透過芯片上的模-數轉換器(ADC)將獲得的影像訊號轉變為數字信號輸出。
相對于其他邏輯系列,CMOS邏輯電路具有一下優點:
允許的電源電壓范圍寬,方便電源電路的設計
邏輯擺幅大,使電路抗干擾能力強
靜態功耗低
隔離柵結構使CMOS期間的輸入電阻極大,從而使CMOS期間驅動同類邏輯門的能力比其他系列強得多
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