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自由層磁矩反轉磁場存儲單元的尺寸減小

發布時間:2020/11/10 23:13:32 訪問次數:1553

WRC-19為利用地面和空間通信技術連接世界的新的、更具創新性的方式鋪平了道路。隨著領先寬帶技術在新工業發展中得到體現,最偏遠地區的人們也將獲得更好、更實惠的接入。

在WRC-19上達成的來之不易的協議將對全世界數十億人的生活產生積極影響,為可持續增長和發展創造有利的數字環境。WRC-19在支持新通信技術和保護現有業務方面取得的成就將反映在萬億美元電信和ICT行業的持續增長之中。

尺寸更小、成本更低的系統解決方案,SmartBond TINY既可以作為一個獨立的芯片系統來使用,也可以作為模塊嵌入到更大的微控制器單元中。DA14531現在已經批量供貨,SmartBond TINY模塊也將在明年第二季度推出,它結合了主芯片的各項功能,能夠將成本藍牙連接的成本降低至1美元以下。SmartBond TINY模塊面向用量不大的客戶,有助于他們在產品開發中更容易地應用這一新的SoC,無需再去驗證其平臺,從而節省了產品開發的時間、工作量和成本。

它的具體優勢主要體現在:

通過高散熱結構,大幅改善PCB板的散熱性,并保證額定功率4W

可靠性對于電阻器來說重要的一點就是散熱設計,因為隨著PCB上功能進一步集成化,元器件的散熱環境越來越惡化。GMR50電阻器是在GMR100的基礎上進行開發的,貼裝面積減小39%,小型化之后需要解決散熱的問題,羅姆工程師對GMR50電阻器內部的結構分布做了很好的調整,通過改進了電極結構以及優化元件內部設計,大幅提到散熱性;對電極某一部分材料做一些變更,從而在施加比較大應力的時候使電極的粘合性更好,所以能夠保證一個小尺寸的情況下也能達到額定功率4W。

羅姆所支持的散熱設計不僅是針對單顆的電阻器,是可以針對整個PCB板進行整體的熱仿真,來提供一些相應的散熱對策。以FlothermTM專門的熱仿真軟件做的一個GMR50電阻和羅姆以往產品的溫升對比。在同樣施加2W的功率前提下,表面溫升降低了57%;在貼裝面積減小39%的尺寸下施加功率達到4W的時候它的表面溫度比普通產品還要再低20度,它的可靠性得到進一步提升。

STT-MRAM存儲單元的核心是一個MTJ,也就是STT-MRAM是通過MTJ來存儲數據。通常情況下,MTJ是由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成,它是是通過自旋電流實現信息寫入的。寫入信息時需要較大的電流產生磁場使?MTJ?自由層磁矩發生反轉。隨著存儲單元的尺寸減小,需要更大的自由層磁矩反轉磁場,因此也需要更大的電流。大電流不僅增加了功耗,也使得變換速度減慢,限制了存儲單元寫入信息的速度。

STT-MRAM的發展腳步毫無減緩的跡象,并瞄準兩大應用領域,分別是嵌入式存儲器和獨立存儲器。目前有些廠商專注于發展嵌入式MRAM。舉個例子來說明其重要性,通常微控制器(MCU)會在同一芯片上整合多種元件,例如運算單元、SRAM和嵌入式快閃存儲器。而這種嵌入式快閃存儲器具備NOR的非揮發特性,這種NOR快閃存儲器通常都用來作為程式代碼的儲存用途。


(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)



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尺寸更小、成本更低的系統解決方案,SmartBond TINY既可以作為一個獨立的芯片系統來使用,也可以作為模塊嵌入到更大的微控制器單元中。DA14531現在已經批量供貨,SmartBond TINY模塊也將在明年第二季度推出,它結合了主芯片的各項功能,能夠將成本藍牙連接的成本降低至1美元以下。SmartBond TINY模塊面向用量不大的客戶,有助于他們在產品開發中更容易地應用這一新的SoC,無需再去驗證其平臺,從而節省了產品開發的時間、工作量和成本。

它的具體優勢主要體現在:

通過高散熱結構,大幅改善PCB板的散熱性,并保證額定功率4W

可靠性對于電阻器來說重要的一點就是散熱設計,因為隨著PCB上功能進一步集成化,元器件的散熱環境越來越惡化。GMR50電阻器是在GMR100的基礎上進行開發的,貼裝面積減小39%,小型化之后需要解決散熱的問題,羅姆工程師對GMR50電阻器內部的結構分布做了很好的調整,通過改進了電極結構以及優化元件內部設計,大幅提到散熱性;對電極某一部分材料做一些變更,從而在施加比較大應力的時候使電極的粘合性更好,所以能夠保證一個小尺寸的情況下也能達到額定功率4W。

羅姆所支持的散熱設計不僅是針對單顆的電阻器,是可以針對整個PCB板進行整體的熱仿真,來提供一些相應的散熱對策。以FlothermTM專門的熱仿真軟件做的一個GMR50電阻和羅姆以往產品的溫升對比。在同樣施加2W的功率前提下,表面溫升降低了57%;在貼裝面積減小39%的尺寸下施加功率達到4W的時候它的表面溫度比普通產品還要再低20度,它的可靠性得到進一步提升。

STT-MRAM存儲單元的核心是一個MTJ,也就是STT-MRAM是通過MTJ來存儲數據。通常情況下,MTJ是由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成,它是是通過自旋電流實現信息寫入的。寫入信息時需要較大的電流產生磁場使?MTJ?自由層磁矩發生反轉。隨著存儲單元的尺寸減小,需要更大的自由層磁矩反轉磁場,因此也需要更大的電流。大電流不僅增加了功耗,也使得變換速度減慢,限制了存儲單元寫入信息的速度。

STT-MRAM的發展腳步毫無減緩的跡象,并瞄準兩大應用領域,分別是嵌入式存儲器和獨立存儲器。目前有些廠商專注于發展嵌入式MRAM。舉個例子來說明其重要性,通常微控制器(MCU)會在同一芯片上整合多種元件,例如運算單元、SRAM和嵌入式快閃存儲器。而這種嵌入式快閃存儲器具備NOR的非揮發特性,這種NOR快閃存儲器通常都用來作為程式代碼的儲存用途。


(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)



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