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950nm到1150nm光波段近紅外進行光譜優化

發布時間:2020/11/10 23:35:59 訪問次數:1788

羅姆公司的三大戰略:第一個是功率器件,第二個是通用器件,第三個是模擬器件。羅姆的功率元器件戰略即力爭全球領先的市場份額。在全球的市場上羅姆二極管的市場份額占第三位,大約占有10%左右的份額;如果只在車載市場上看羅姆二極管的份額在全球是第一位,大約占20%。ROHM功率器件制造本部、功率二極管制造部、商品開發部組長田中宏幸先生如此介紹ROHM的市場地位。

羅姆功率二極管60%的銷售份額來自于車載市場,在動力傳動系統等車載系統(xEV等)、工業設備逆變器、各種電源設備等,全部都是支持AEC-Q101,都是對應車載的產品,在車載上可以高溫運轉,可以使它節能,可以使小型化的新產品。

二極管,特別是肖特基二極管在汽車行業上會得到很大的應用,比如汽車行業,包括電動汽車,從2019-2024年的5年期間增長比較大,平均年增長15%左右”,水原先生如此描述汽車行業二極管的發展趨勢,就是“CASE”,C是Connected,跟外部相連的信息娛樂系統;A,是自動駕駛或者Autonomous;S是我們所說的Share,也就是網關;E就是三電、電氣化,OBC、逆變器、DC/DC或者LED燈。

DLP650LNIR。這是首個適用于大功率近紅外系統的DMD。該DMD設計能夠支持波長范圍950nm到1150nm光波段近紅外并進行光譜優化,功率達160 W。這顆芯片組可以把我們帶到近紅外領域,使金屬粉末打印成為可能,幫助DLP技術從支持3D領域擴展到了金屬粉末打印。無論是UV還是近紅外,DLP技術仍然可以保持固有的優勢,高分辨率、高精度、160W高功率確保在激光燒結成型上達到最好的3D產品打印質量。工業近紅外可以應用于3D打印、數字打印和動態激光打標。

7nm EUV工藝的下一代手機處理器Exynos 9825。三星稱,通過7nm EUV工藝,新處理器的生產過程可以減少 20% 的光罩流程,使整個制造過程更簡單,還能節省時間和金錢,另外還達成40%面積縮小、以及20%性能增加與55%的功耗降低目標。臺積電也在6月份宣布批量生產7nmN7+工藝,這是臺積電第一次、也是行業第一次量產EUV極紫外光刻技術。并表明這種新工藝的產量已經可以達到原來7nm工藝的水平了。

在EUV之外,7nm 節點還有另外一種技術路徑,即采用 193nm 波長+SAQP 四重圖案化達到所需分辨率。下圖黃線中紅點處即代表采用193i 浸沒式光刻機+SAQP四重圖案技術,對應英特爾所選擇的技術路線;7nm在藍線中藍色區域代表采用EUV光刻機單次圖案化,代表臺積電和三星所選擇的技術路線。在之后的 5nm 節點,193i 光刻機技術難度更大,采用 EUV 雙重圖案化是較為合理的選擇。


DLP技術也可適用于汽車透明車窗投影,在保持車窗透明度不干涉駕駛員視野的同時,可以顯示足夠多的信息,提供更多的交互。

(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)




羅姆公司的三大戰略:第一個是功率器件,第二個是通用器件,第三個是模擬器件。羅姆的功率元器件戰略即力爭全球領先的市場份額。在全球的市場上羅姆二極管的市場份額占第三位,大約占有10%左右的份額;如果只在車載市場上看羅姆二極管的份額在全球是第一位,大約占20%。ROHM功率器件制造本部、功率二極管制造部、商品開發部組長田中宏幸先生如此介紹ROHM的市場地位。

羅姆功率二極管60%的銷售份額來自于車載市場,在動力傳動系統等車載系統(xEV等)、工業設備逆變器、各種電源設備等,全部都是支持AEC-Q101,都是對應車載的產品,在車載上可以高溫運轉,可以使它節能,可以使小型化的新產品。

二極管,特別是肖特基二極管在汽車行業上會得到很大的應用,比如汽車行業,包括電動汽車,從2019-2024年的5年期間增長比較大,平均年增長15%左右”,水原先生如此描述汽車行業二極管的發展趨勢,就是“CASE”,C是Connected,跟外部相連的信息娛樂系統;A,是自動駕駛或者Autonomous;S是我們所說的Share,也就是網關;E就是三電、電氣化,OBC、逆變器、DC/DC或者LED燈。

DLP650LNIR。這是首個適用于大功率近紅外系統的DMD。該DMD設計能夠支持波長范圍950nm到1150nm光波段近紅外并進行光譜優化,功率達160 W。這顆芯片組可以把我們帶到近紅外領域,使金屬粉末打印成為可能,幫助DLP技術從支持3D領域擴展到了金屬粉末打印。無論是UV還是近紅外,DLP技術仍然可以保持固有的優勢,高分辨率、高精度、160W高功率確保在激光燒結成型上達到最好的3D產品打印質量。工業近紅外可以應用于3D打印、數字打印和動態激光打標。

7nm EUV工藝的下一代手機處理器Exynos 9825。三星稱,通過7nm EUV工藝,新處理器的生產過程可以減少 20% 的光罩流程,使整個制造過程更簡單,還能節省時間和金錢,另外還達成40%面積縮小、以及20%性能增加與55%的功耗降低目標。臺積電也在6月份宣布批量生產7nmN7+工藝,這是臺積電第一次、也是行業第一次量產EUV極紫外光刻技術。并表明這種新工藝的產量已經可以達到原來7nm工藝的水平了。

在EUV之外,7nm 節點還有另外一種技術路徑,即采用 193nm 波長+SAQP 四重圖案化達到所需分辨率。下圖黃線中紅點處即代表采用193i 浸沒式光刻機+SAQP四重圖案技術,對應英特爾所選擇的技術路線;7nm在藍線中藍色區域代表采用EUV光刻機單次圖案化,代表臺積電和三星所選擇的技術路線。在之后的 5nm 節點,193i 光刻機技術難度更大,采用 EUV 雙重圖案化是較為合理的選擇。


DLP技術也可適用于汽車透明車窗投影,在保持車窗透明度不干涉駕駛員視野的同時,可以顯示足夠多的信息,提供更多的交互。

(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)




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