每個單元存儲一個比特，一個簡單的4比特存儲器。每一行的電壓控制晶體管的通斷，并對相關的電容充電或放電。在每個所需的“字線”充電之后，列選擇器選擇對應的電容，準備接下來的讀/寫操作。由于自放電效應，這些單元必須周期性刷新，包括讀和數據寫回的操作。

SDRAM位單元和SDRAM芯片的組織結構,SDRAM架構包含許多存儲單元，這些存儲單元組成行和列的二維陣列。要選擇某一個比特，需首先確定對應的行，然后確定對應的列。當對應的行開啟時，可以訪問多個列，從而提高連續讀/寫的速度并降低延遲。

為了增加字容量，存儲器使用多個陣列，這樣當需要進行一次讀/寫操作時，存儲器只需要尋址一次訪問每個陣列中的1個比特。

STM32WB55xx和STM32WB35xx是多協議無線和超低功耗32位MCU,嵌入了功能強大和超低功耗與藍牙低功耗SIG指標v5.0以及EEE 802.15.4-2011兼容的無線電.該器件包含了Arm® Cortex® -M0+,用來實現所有實時低層操作.器件基于工作頻率高達65MHz的高性能Arm® Cortex®-M4 32位RISC核,它具有浮點單元(FPU)單精度,支持所有的Arm®單精度數據處理指令和數據類型,還能實現所有DSP指令和存儲器保護單元(MPU),從而增強了應用安全性.

實時存儲前向高吞吐量載荷基于支持GHz I/O速率的FPGA、存儲器、寬帶ADC和DAC。例如，一個12位1.5Gsps采樣率的ADC每秒產生18Gb的原始數據。一分鐘的壓縮SAR信息需要大約70Gb的存儲容量。這對現有的宇航級存儲器解決方案的I/O帶寬、訪問時間、功耗、物理尺寸和存儲容量提出了很大的挑戰。

為了增加存儲器的整體容量，SDRAM的內部結果還包含多個bank。這些bank互相交織，進一步提高了性能，并可以獨立尋址。

當需要執行讀或寫操作時，首先存儲器控制器發出ACTIVE命令，激活對應的行和bank。操作執行完畢后，PRECHARGE命令關閉一個或多個bank中的一個對應的行。除非之前的行被關閉，否則無法打開新的行。

SDRAM的操作通過如下的控制信號實現：片選(CS)、數據屏蔽(DQM)、寫使能(WE)、行地址選通(RAS)和列地址選通(CAS)。