器件字線加速DDR4支持2.5V的電壓Vpp
發布時間:2020/11/15 22:40:41 訪問次數:3896
由于 5G 會讓大量的應用在網絡的邊緣進行處理,移動邊緣計算(Mobile Edge Computing, MEC)的需求得到爆發。
對于系統設計,考慮存儲器如何被訪問、如何被特定的PDN驅動以及如何設計散熱方案。DDR4也支持2.5V的電壓Vpp,其為器件提供字線加速以提升效率。
DDR4T04G72使衛星和航天器的制造商第一次可以使用大存儲帶寬技術,而類似的技術在商業領域已經使用了6年了。與市場上的經過認證的DDR3 SDRAM相比,DDR4T04G72可與最新的宇航級FPGA和微處理器配合使用,實現:
存儲器帶寬增加62%,傳輸速度加倍
存儲容量增加25%
物理尺寸縮小76%
5G可以提供最高10Gbps的峰值速率、更佳的移動性能、毫秒級時延和超高密度連接。理論上,5G的速度可以達到4G的10倍以上。得益于如此高的網絡速度,5G未來將在增強型移動寬帶(eMBB)、超可靠低時延通信(uRLLC)和海量大規模連接(mMTC)等三大應用場景發揮重大作用。
移動邊緣計算(MEC)最初于2013年在IBM和Nokia Siemens共同推出的一款計算平臺上出現。之后,各大電信標準組織開始推動移動邊緣計算的規范化工作。根據歐洲電信標準協會(ETSI)的定義,移動邊緣計算側重在移動網邊緣提供IT服務環境和云計算能力,強調靠近移動用戶以減少網絡操作和服務交付的時延。
為了提高可靠性,器件采用了72比特的數據總線,包含64比特的數據和8比特的錯誤檢測與糾正。這個ECC功能是通過第五個裸片實現的。器件使用內部的8n預讀取緩沖,實現高速操作,提供可編程的讀寫操作和額外的延遲。DDR4的供電電壓的典型值是1.2V。DDR4T04G72的物理尺寸和功耗與市面上的宇航級SDRAM的對比。功耗在很大程度上與下面幾個因素相關:器件的架構、時鐘頻率、供電電壓、執行的操作、器件的狀態(如使能、預充電或讀/寫)、每個狀態的持續時間、是否使用bank交織和I/O電路的實現(如終端電路)。
SDRAM在系統中的使用方式的不同,也會對功耗有很大的影響。
云計算、人工智能、物聯網等應用快速落地,使得網絡上的數據量呈指數倍遞增,如何實現海量數據的交互、存儲、分析,發揮數據真正的價值,是5G時代的新挑戰,而5G也將推動云計算從集中化向分布式演進。
(素材來源:eepw.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
由于 5G 會讓大量的應用在網絡的邊緣進行處理,移動邊緣計算(Mobile Edge Computing, MEC)的需求得到爆發。
對于系統設計,考慮存儲器如何被訪問、如何被特定的PDN驅動以及如何設計散熱方案。DDR4也支持2.5V的電壓Vpp,其為器件提供字線加速以提升效率。
DDR4T04G72使衛星和航天器的制造商第一次可以使用大存儲帶寬技術,而類似的技術在商業領域已經使用了6年了。與市場上的經過認證的DDR3 SDRAM相比,DDR4T04G72可與最新的宇航級FPGA和微處理器配合使用,實現:
存儲器帶寬增加62%,傳輸速度加倍
存儲容量增加25%
物理尺寸縮小76%
5G可以提供最高10Gbps的峰值速率、更佳的移動性能、毫秒級時延和超高密度連接。理論上,5G的速度可以達到4G的10倍以上。得益于如此高的網絡速度,5G未來將在增強型移動寬帶(eMBB)、超可靠低時延通信(uRLLC)和海量大規模連接(mMTC)等三大應用場景發揮重大作用。
移動邊緣計算(MEC)最初于2013年在IBM和Nokia Siemens共同推出的一款計算平臺上出現。之后,各大電信標準組織開始推動移動邊緣計算的規范化工作。根據歐洲電信標準協會(ETSI)的定義,移動邊緣計算側重在移動網邊緣提供IT服務環境和云計算能力,強調靠近移動用戶以減少網絡操作和服務交付的時延。
為了提高可靠性,器件采用了72比特的數據總線,包含64比特的數據和8比特的錯誤檢測與糾正。這個ECC功能是通過第五個裸片實現的。器件使用內部的8n預讀取緩沖,實現高速操作,提供可編程的讀寫操作和額外的延遲。DDR4的供電電壓的典型值是1.2V。DDR4T04G72的物理尺寸和功耗與市面上的宇航級SDRAM的對比。功耗在很大程度上與下面幾個因素相關:器件的架構、時鐘頻率、供電電壓、執行的操作、器件的狀態(如使能、預充電或讀/寫)、每個狀態的持續時間、是否使用bank交織和I/O電路的實現(如終端電路)。
SDRAM在系統中的使用方式的不同,也會對功耗有很大的影響。
云計算、人工智能、物聯網等應用快速落地,使得網絡上的數據量呈指數倍遞增,如何實現海量數據的交互、存儲、分析,發揮數據真正的價值,是5G時代的新挑戰,而5G也將推動云計算從集中化向分布式演進。
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