800W射頻功率晶體管大紋波電流能力
發布時間:2020/11/18 13:10:46 訪問次數:602
新系列焊片式愛普科斯 (EPCOS) 鋁電解電容器——B43647 *。新系列元件外殼尺寸范圍為22 mm x 25 mm至35 mm x 55 mm,電容值范圍為120 μF至1000 μF,最高工作溫度可達105°C,并且具有高CV值和高達7.22 A (100 Hz, 60 °C) 的大紋波電流能力,在450 V DC的額定電壓和最大紋波電流下,額定使用壽命長達2000 h,是電力電子器件中理想的超緊湊解決方案。
憑借卓越的可靠性,新系列電容器廣泛適用于服務器、電信和工業應用的電源、UPS系統、醫療設備、光伏逆變器和變頻器。其穩定的快充和放電周期還能滿足伺服驅動器應用的高要求。
InferX X1P1 PCIe板卡,并宣布了其系列產品的技術路線圖。該系列PCIe板卡都將搭載Flex Logix專為邊緣側系統設計的高性能、高效率的 InferX X1加速器。
InferX X1P1板卡是一個半高、半長的PCIe板卡,其上搭載有單顆InferX X1芯片和單個LPDDR4x DRAM。目前,這一板卡的樣品已經開始向領先客戶供貨,并可在2021年一季度向更廣泛的客戶群體供貨。目前預計于2021年二季度實現量產。InferX X1P4 板卡與X1P1尺寸相同,將搭載4顆InferX X1 芯片。InferX X1P4計劃于2021年中期開始提供樣品,并與2021年底全面量產。屆時還將推出InferX M.2板卡。
InferX X1P4板卡在處理YOLOv3這一廣泛應用于目標檢測與識別的神經網絡模型時可以達到和行業領軍產品類似的吞吐量,而批量售價只有$649-$999。
BLU9H0408L-800P 800W射頻功率晶體管。它采用埃賦隆最新的第九代(Gen9)(50V)LDMOS工藝技術,專門為工作在400MHz至800MHz超高頻(UHF)頻段的大功率雷達系統而設計。
BLU9H0408L-800P所提供的每單個晶體管輸出功率顯著提高,這進一步簡化了大功率超高頻雷達的設計、元器件數量和能源成本。該晶體管還具有優異的堅固性(20:1駐波比),能夠經受得住因天線和電纜連接問題所產生的失配條件。
(素材來源:eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
新系列焊片式愛普科斯 (EPCOS) 鋁電解電容器——B43647 *。新系列元件外殼尺寸范圍為22 mm x 25 mm至35 mm x 55 mm,電容值范圍為120 μF至1000 μF,最高工作溫度可達105°C,并且具有高CV值和高達7.22 A (100 Hz, 60 °C) 的大紋波電流能力,在450 V DC的額定電壓和最大紋波電流下,額定使用壽命長達2000 h,是電力電子器件中理想的超緊湊解決方案。
憑借卓越的可靠性,新系列電容器廣泛適用于服務器、電信和工業應用的電源、UPS系統、醫療設備、光伏逆變器和變頻器。其穩定的快充和放電周期還能滿足伺服驅動器應用的高要求。
InferX X1P1 PCIe板卡,并宣布了其系列產品的技術路線圖。該系列PCIe板卡都將搭載Flex Logix專為邊緣側系統設計的高性能、高效率的 InferX X1加速器。
InferX X1P1板卡是一個半高、半長的PCIe板卡,其上搭載有單顆InferX X1芯片和單個LPDDR4x DRAM。目前,這一板卡的樣品已經開始向領先客戶供貨,并可在2021年一季度向更廣泛的客戶群體供貨。目前預計于2021年二季度實現量產。InferX X1P4 板卡與X1P1尺寸相同,將搭載4顆InferX X1 芯片。InferX X1P4計劃于2021年中期開始提供樣品,并與2021年底全面量產。屆時還將推出InferX M.2板卡。
InferX X1P4板卡在處理YOLOv3這一廣泛應用于目標檢測與識別的神經網絡模型時可以達到和行業領軍產品類似的吞吐量,而批量售價只有$649-$999。
BLU9H0408L-800P 800W射頻功率晶體管。它采用埃賦隆最新的第九代(Gen9)(50V)LDMOS工藝技術,專門為工作在400MHz至800MHz超高頻(UHF)頻段的大功率雷達系統而設計。
BLU9H0408L-800P所提供的每單個晶體管輸出功率顯著提高,這進一步簡化了大功率超高頻雷達的設計、元器件數量和能源成本。該晶體管還具有優異的堅固性(20:1駐波比),能夠經受得住因天線和電纜連接問題所產生的失配條件。
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