我們將Dcosφ記為DR，Dsinφ記為DX。它們分別為被測信號幅值的實部與虛部。

其實質是積分后再取平均，可以認為是一個均值濾波的過程。既然如此，我們可以向其中引入更有效的濾波算法，以使最終的計算結果精度更高。通過對上面的數學推倒進行改進，可以得到。

通過推導分離出直流與交流兩個部分，可以使用低通濾波將其交流部分去掉，最終可得到直流部分，即被測信號幅值的實部與虛部。

使用MATLAB軟件對數字相敏檢波算法改進前后進行仿真與對比，進而對其具體表現進行評價。

使用MATLAB對改進前后數字相敏檢波進行仿真與對比。

2SC3324-GR數據表

制造商: Toshiba

產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)

RoHS:  詳細信息  

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-346-3

晶體管極性: PNP

配置: Single

集電極—發射極最大電壓 VCEO: - 120 V

集電極—基極電壓 VCBO: - 120 V

發射極 - 基極電壓 VEBO: - 5 V

增益帶寬產品fT: 100 MHz

系列: 2SA1312

直流電流增益 hFE 最大值: 700  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

封裝: Reel  

商標: Toshiba  

集電極連續電流: - 100 mA  

直流集電極/Base Gain hfe Min: 200  

Pd-功率耗散: 150 mW  

產品類型: BJTs - Bipolar Transistors  

工廠包裝數量: 3000  

子類別: Transistors  

單位重量: 28 mg

用于EV的車載充電器和DC/DC轉換器,TI帶來了其首個汽車級的GaN：LMG3525R030-Q1，是650V GaN FET，具有集成驅動器和保護功能。與現有的Si或SiC解決方案相比，使用TI的新型車用GaN FET可將電動汽車（EV）車載充電器和DC/DC轉換器的尺寸減少多達50％，從而使工程師能夠延長電池續航，提高系統可靠性并降低設計成本。

工業級產品是LMG3425EVM-043，是600V的GaN FET，可在更低功耗和更小電路板空間占用的情況下，在AC/DC電力輸送應用（例如超大規模的企業計算平臺以及5G電信整流器）中實現更高的效率和功率密度。

得益于TI GaN集成的優勢，可以將功率密度增加很大，能提供大于150V/ns和大于2.2 MHz的業界更快切換速度。高壓擺率和高切換速度能將電路中的磁元件減少得更小，通過集成可將功率磁元件體積減少59%，以及減少十多個組件。