VCSEL發射器和在6-10層的內存模塊
發布時間:2020/11/22 23:41:19 訪問次數:582
選用 CMOS器件尤其是高速器件有動態功率要求,需要采取去耦措施以便滿足其瞬時功率要求。
高頻環境中,引腳會形成電感,數值約為1nH/1mm,引腳末端也會向后呈小電容效應,大約有4pF。表貼器件有利于EMI性能,寄生電感和電容值分別為0.5nH和0.5pF。
放射狀引腳優于軸向平行引腳;
TTL與CMOS混合電路因為開關保持時間不同,會產生時鐘、有用信號和電源的諧波,因此最好選擇同系列邏輯電路。
未使用的CMOS器件引腳,要通過串聯電阻接地或者接電源。
TMD2712易于集成到顯示屏組裝中,可以準確測量IR和環境光。該模塊的VCSEL發射器和光電二極管特意做了偏心設計,讓制造商能夠更靈活地組合放置傳感器和其他元器件,例如攝像頭。該模塊的接近光檢測引擎提供更出色的光串擾抑制,可以在長距離范圍內可靠運行,提供寬視角,無需使用導光管、墊高板或特殊油墨。
通過使用VCSEL發射器和在模塊中實施功率優化,TMD2712可以降低功耗,讓傳感器對電池電量的消耗達到最低。TMD2712傳感器電路采用1.8V電源,在睡眠模式下僅消耗0.7μA。TMD2712 ALS和接近光傳感器根據客戶要求提供評估板。
在高速PCB設計中,看似簡單的過孔也往往會給電路的設計帶來很大的負面效應,為了減小過孔的寄生效應帶來的不利影響,在設計中可以盡量做到:
從成本和信號質量兩方面來考慮,選擇合理尺寸的過孔大小。例如對6- 10層的內存模塊PCB設計來說,選用10/20mil(鉆孔/焊盤)的過孔較好,對于一些高密度的小尺寸的板子,也可以嘗試使用8/18Mil的過孔。在目前技術條件下,很難使用更小尺寸的過孔了(當孔的深度超過鉆孔直徑的6倍時,就無法保證孔壁能均勻鍍銅);對于電源或地線的過孔則可以考慮使用較大尺寸,以減小阻抗。
使用較薄的PCB板有利于減小過孔的兩種寄生參數。
PCB板上的信號走線盡量不換層,即盡量不要使用不必要的過孔。
電源和地的管腳要就近打過孔,過孔和管腳之間的引線越短越好。
在信號換層的過孔附近放置一些接地的過孔,以便為信號提供最近的回路。甚至可以在PCB板上大量放置一些多余的接地過孔。
(素材來源:21IC.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
選用 CMOS器件尤其是高速器件有動態功率要求,需要采取去耦措施以便滿足其瞬時功率要求。
高頻環境中,引腳會形成電感,數值約為1nH/1mm,引腳末端也會向后呈小電容效應,大約有4pF。表貼器件有利于EMI性能,寄生電感和電容值分別為0.5nH和0.5pF。
放射狀引腳優于軸向平行引腳;
TTL與CMOS混合電路因為開關保持時間不同,會產生時鐘、有用信號和電源的諧波,因此最好選擇同系列邏輯電路。
未使用的CMOS器件引腳,要通過串聯電阻接地或者接電源。
TMD2712易于集成到顯示屏組裝中,可以準確測量IR和環境光。該模塊的VCSEL發射器和光電二極管特意做了偏心設計,讓制造商能夠更靈活地組合放置傳感器和其他元器件,例如攝像頭。該模塊的接近光檢測引擎提供更出色的光串擾抑制,可以在長距離范圍內可靠運行,提供寬視角,無需使用導光管、墊高板或特殊油墨。
通過使用VCSEL發射器和在模塊中實施功率優化,TMD2712可以降低功耗,讓傳感器對電池電量的消耗達到最低。TMD2712傳感器電路采用1.8V電源,在睡眠模式下僅消耗0.7μA。TMD2712 ALS和接近光傳感器根據客戶要求提供評估板。
在高速PCB設計中,看似簡單的過孔也往往會給電路的設計帶來很大的負面效應,為了減小過孔的寄生效應帶來的不利影響,在設計中可以盡量做到:
從成本和信號質量兩方面來考慮,選擇合理尺寸的過孔大小。例如對6- 10層的內存模塊PCB設計來說,選用10/20mil(鉆孔/焊盤)的過孔較好,對于一些高密度的小尺寸的板子,也可以嘗試使用8/18Mil的過孔。在目前技術條件下,很難使用更小尺寸的過孔了(當孔的深度超過鉆孔直徑的6倍時,就無法保證孔壁能均勻鍍銅);對于電源或地線的過孔則可以考慮使用較大尺寸,以減小阻抗。
使用較薄的PCB板有利于減小過孔的兩種寄生參數。
PCB板上的信號走線盡量不換層,即盡量不要使用不必要的過孔。
電源和地的管腳要就近打過孔,過孔和管腳之間的引線越短越好。
在信號換層的過孔附近放置一些接地的過孔,以便為信號提供最近的回路。甚至可以在PCB板上大量放置一些多余的接地過孔。
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