更寬的帶隙、更高的臨界擊穿電壓、更快的電子速度、更高的導熱系數、更高的電子遷移率等。利用兩個材料制作的器件則主要是GaN FET和SiC FET。

GaN和SiC本身的特性與開關電源可以說是“天生一對”，能夠實現更快的開關速度，正因為開關過程中會產生功率、功耗和熱損失，因此更快的速度能夠有效減少功率、功耗和過沖。

GaN經驗積累，不僅實現速度翻倍、功耗減半、擁有超過4000萬可靠性小時的實驗資料，還會在自己的工廠和供應鏈上生產，以保證支持客戶的不間斷業務。

面向面向汽車和工業應用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），與此同時并對TI的GaN FET技術進行了詳細的剖析。

其他的特點包括：

符合高性能PCIe Gen4 x4與NVMe 1.4規范；

支持NVMe、獨有的Open Channel及Key Value SSD的Turnkey解決方案；

容量支持最高可達16TB；

通過實體和邏輯隔離實現一致性的低延遲；

AES 256等級的硬件數據安全性，可支持SED、安全啟動、符合TCG Opal標準。

兩款GaN相關產品發布，一款是針對汽車市場的650V GaN FET，另一款則是針對工業市場的600V GaN FET。型號中帶有Q1的為650V GaN FET產品，沒有帶有Q1的則是600V GaN FET產品。高壓電源應用產品這兩款產品的詳細參數和性能。650V汽車GaN FET：LMG3525R030-Q1產品是基于預測汽車未來市場所推出的，利用GaN技術可為汽車帶來更快的充電時間、更高的可靠性和更低的成本。

LMG3525R030-Q1是一款集成驅動和保護功能的650V汽車GaN FET，可以提高系統長期穩定性并縮短充電時間。

這款產品與現有的硅基和碳化硅方案相比可以減小車載充電器50%的體積，這主要得益于高達2.2-MHz的切換頻率和集成驅動所發揮的優勢。離散解決方案無法達到如此高速的切換頻率和如此大的壓擺率。

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