Wi-Fi具有更大的覆蓋范圍和更高的傳輸速率，因此Wi-Fi手機成為了2010年移動通信業界的時尚潮流。

NFC是一種新興的技術，使用了NFC技術的設備可以在彼此靠近的情況下進行數據交換，是由非接觸式射頻識別(RFID)及互連互通技術整合演變而來，通過在單一芯片上集成感應式讀卡器、感應式卡片和點對點通信的功能，利用移動終端實現移動支付、門禁、身份識別等應用。

UWB是一種無載波通信技術，利用納秒至微秒級的非正弦波窄脈沖傳輸數據。UWB在早期被用來應用在近距離高速數據傳輸，近年來國外開始利用其亞納秒級超窄脈沖來做近距離精確室內定位。

制造商:STMicroelectronics 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:650 V Id-連續漏極電流:16 A Rds On-漏源導通電阻:220 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:44 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:30 W 通道模式:Enhancement 商標名:MDmesh 封裝:Tube 配置:Single 系列:STF22NM60N 晶體管類型:1 N-Channel 商標:STMicroelectronics 下降時間:38 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:18 ns 工廠包裝數量:1000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:74 ns 典型接通延遲時間:11 ns 單位重量:330 mg

這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，具有出色的FoM，并且其單位面積通態電阻更低，本征電容也很低。在硬開關應用中，第四代FET實現了極低的RDS(on)×EOSS(mΩ·μJ)，因此其導通損耗和關斷損耗都得到降低。在軟開關應用中，其低RDS(on)×Coss(tr)(mΩ·nF)規格則可實現更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現有SiC MOSFET競爭產品的性能(無論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作)，而且還提供了極低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復特性，從而降低了死區損耗并提高了效率。

SiC MOSFET 電壓一般為650V，或650V以下，對于電動汽車等領域要求的400/500V總線電壓應用，750V的碳化硅MOSFET能為設計人員提供更多的裕量并減少其設計約束。