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單核Cortex-M7擴展到三核或雙核鎖步系統

發布時間:2020/11/26 12:00:47 訪問次數:2813

Cortex-M7內核用于一系列汽車微控制器單元(MCU)。新的S32K3系列提高了處理器內存和性能,并具有鎖步模式之類的功能。非對稱Cortex片上系統(SoC)很常見,但它們通常是Cortex-M0 +和高端Cortex-M或與Cortex-A應用處理器結合使用。S32K3包括單核、雙核和三核版本,運行頻率高達240 MHz。

S32K3系列可從單核Cortex-M7擴展到三核或雙核鎖步系統。

S32K系列面向汽車應用。它們具有高達8 MB的閃存和高達256 kB帶有ECC功能的SRAM存儲器。閃存設置為兩個模塊,允許A/B固件與自動地址轉換交換。FOTA將負載更新到一個塊中,而系統從另一塊運行。該開關在復位時發生,如果有問題,數據可以回滾到原始塊。

特性 

先進的RISC架構 

131個功能強大的指令 

主要為單路時鐘循環執行 

32x8通用工作寄存器 

全靜態工作 

在20MHz時具有高達20MIPS的吞吐量 

片上兩周期乘法器 

高耐久性非易失性內存段 

64KB系統內可自編程閃存程序 

存儲器 2KB EEPROM 4KB內部SRAM 

封裝:40引腳PDIP、44引線TQFP、44焊盤VQFN/QFN

3D架構、雙重圖形化技術、多層罩式掩膜和高劑量植入剝離(HDIS)等新技術的出現,光刻膠剝離工藝的復雜度也在不斷提升。目前來看,在300mm晶圓領域的高級存儲和邏輯節點上,很多需求已經或正在得到解決。然而,針對特種技術200mm晶圓的工藝挑戰,包括射頻濾波器、電源、讀出磁頭和數字打印等,很多領先的設備代工廠和制造商并沒有有效的解決方案。300mm和200mm晶圓工藝的技術難點有所區別,相對而言后者更注重低溫處理、薄厚抗蝕層、剝離替代材料和多種襯底材料的處理。

寫入/擦除周期:10,000閃存/100,000 EEPROM 數據保持:85°C條件下可保存20年/25°C條件下可保存100年 具有獨立鎖定位的可選啟動代碼段 通過片上引導程序進行系統內編程 真正邊讀邊寫操作 軟件安全用編程鎖定 支持Atmel QTouch®庫 電容觸摸按鈕、滑塊和滾輪 

(素材來源:21ic和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)





Cortex-M7內核用于一系列汽車微控制器單元(MCU)。新的S32K3系列提高了處理器內存和性能,并具有鎖步模式之類的功能。非對稱Cortex片上系統(SoC)很常見,但它們通常是Cortex-M0 +和高端Cortex-M或與Cortex-A應用處理器結合使用。S32K3包括單核、雙核和三核版本,運行頻率高達240 MHz。

S32K3系列可從單核Cortex-M7擴展到三核或雙核鎖步系統。

S32K系列面向汽車應用。它們具有高達8 MB的閃存和高達256 kB帶有ECC功能的SRAM存儲器。閃存設置為兩個模塊,允許A/B固件與自動地址轉換交換。FOTA將負載更新到一個塊中,而系統從另一塊運行。該開關在復位時發生,如果有問題,數據可以回滾到原始塊。

特性 

先進的RISC架構 

131個功能強大的指令 

主要為單路時鐘循環執行 

32x8通用工作寄存器 

全靜態工作 

在20MHz時具有高達20MIPS的吞吐量 

片上兩周期乘法器 

高耐久性非易失性內存段 

64KB系統內可自編程閃存程序 

存儲器 2KB EEPROM 4KB內部SRAM 

封裝:40引腳PDIP、44引線TQFP、44焊盤VQFN/QFN

3D架構、雙重圖形化技術、多層罩式掩膜和高劑量植入剝離(HDIS)等新技術的出現,光刻膠剝離工藝的復雜度也在不斷提升。目前來看,在300mm晶圓領域的高級存儲和邏輯節點上,很多需求已經或正在得到解決。然而,針對特種技術200mm晶圓的工藝挑戰,包括射頻濾波器、電源、讀出磁頭和數字打印等,很多領先的設備代工廠和制造商并沒有有效的解決方案。300mm和200mm晶圓工藝的技術難點有所區別,相對而言后者更注重低溫處理、薄厚抗蝕層、剝離替代材料和多種襯底材料的處理。

寫入/擦除周期:10,000閃存/100,000 EEPROM 數據保持:85°C條件下可保存20年/25°C條件下可保存100年 具有獨立鎖定位的可選啟動代碼段 通過片上引導程序進行系統內編程 真正邊讀邊寫操作 軟件安全用編程鎖定 支持Atmel QTouch®庫 電容觸摸按鈕、滑塊和滾輪 

(素材來源:21ic和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)





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