8GB低功耗DDR4顯存測量垂直和水平磁場分量
發布時間:2020/11/26 20:59:49 訪問次數:680
SPC接口是SENT協議根據SAE J2716標準的增強。它能夠根據外部ECU發送的觸發脈沖來傳輸數據,并且支持點對點連接以及最多四個傳感器的單線總線模式。 單元時間、幀格式、觸發模式、慢通道格式、滾動計數器等參數易于配置。 例如,HAL 3970可用于方向盤位置應用中的抗雜散場角度檢測。
HAL 39xy傳感器系列中的每個傳感器都基于具有專利的3D HAL感應單元技術。HAL3970使用一種特殊的霍爾片陣列來高精度測量垂直和水平磁場分量。由于這些霍爾板的精密排列,傳感器可以檢測到360度的角度,并對抗外部雜散磁場。
由oneAPI支持的ISPC是C編程語言的一種變體,支持單程序、多數據編程,用于在英特爾CPU上加速英特爾® Osray光線追蹤引擎。英特爾為ISPC增加了Xe支持,以無縫加速英特爾oneAPI渲染工具包組件(如Osray)。
制造商: Semtech
產品種類: 射頻無線雜項
RoHS: 詳細信息
工作頻率: 868 MHz
電源電壓-最大: 1.85 V
電源電壓-最小: 1.75 V
工作電源電流: 550 mA
封裝 / 箱體: QFN-64
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: SX1301
技術: Si
類型: Digital Baseband Chip
商標: Semtech
安裝風格: SMD/SMT
最大工作溫度: + 85 C
最小工作溫度: - 40 C
濕度敏感性: Yes
產品類型: RF Wireless Misc
工廠包裝數量: 3000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
商標名: LoRaWAN
旋轉角度只需要一個簡單的兩極磁鐵。磁鐵應放置在軸端配置的敏感區上方。該傳感器還支持雜散場穩健離軸測量.
ISL81801結合目前業界最高的80V升降壓開關頻率(600kHz)和最小封裝(5mmx5mm),使設計人員能夠創建超緊湊、高密度的電源解決方案。輸入電壓范圍從4.5V至80V的寬壓范圍應用,包括48V電機驅動器、5G通信基站、工業電池備用儲能系統和太陽能供電系統等。
開通p通道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)所需的柵極驅動電壓在VGS低于VIN,p通道降壓控制器具有參考VIN的柵極驅動電源。關閉p通道MOSFET則僅需簡單地將柵極電壓變為VIN(0VVGS)。
英特爾能效最高的圖形架構——英特爾Xe-LP微架構,擁有低功耗、獨立片上系統設計,并配備128比特管道和8GB專用板載低功耗DDR4顯存。
(素材來源:21ic和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
SPC接口是SENT協議根據SAE J2716標準的增強。它能夠根據外部ECU發送的觸發脈沖來傳輸數據,并且支持點對點連接以及最多四個傳感器的單線總線模式。 單元時間、幀格式、觸發模式、慢通道格式、滾動計數器等參數易于配置。 例如,HAL 3970可用于方向盤位置應用中的抗雜散場角度檢測。
HAL 39xy傳感器系列中的每個傳感器都基于具有專利的3D HAL感應單元技術。HAL3970使用一種特殊的霍爾片陣列來高精度測量垂直和水平磁場分量。由于這些霍爾板的精密排列,傳感器可以檢測到360度的角度,并對抗外部雜散磁場。
由oneAPI支持的ISPC是C編程語言的一種變體,支持單程序、多數據編程,用于在英特爾CPU上加速英特爾® Osray光線追蹤引擎。英特爾為ISPC增加了Xe支持,以無縫加速英特爾oneAPI渲染工具包組件(如Osray)。
制造商: Semtech
產品種類: 射頻無線雜項
RoHS: 詳細信息
工作頻率: 868 MHz
電源電壓-最大: 1.85 V
電源電壓-最小: 1.75 V
工作電源電流: 550 mA
封裝 / 箱體: QFN-64
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: SX1301
技術: Si
類型: Digital Baseband Chip
商標: Semtech
安裝風格: SMD/SMT
最大工作溫度: + 85 C
最小工作溫度: - 40 C
濕度敏感性: Yes
產品類型: RF Wireless Misc
工廠包裝數量: 3000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
商標名: LoRaWAN
旋轉角度只需要一個簡單的兩極磁鐵。磁鐵應放置在軸端配置的敏感區上方。該傳感器還支持雜散場穩健離軸測量.
ISL81801結合目前業界最高的80V升降壓開關頻率(600kHz)和最小封裝(5mmx5mm),使設計人員能夠創建超緊湊、高密度的電源解決方案。輸入電壓范圍從4.5V至80V的寬壓范圍應用,包括48V電機驅動器、5G通信基站、工業電池備用儲能系統和太陽能供電系統等。
開通p通道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)所需的柵極驅動電壓在VGS低于VIN,p通道降壓控制器具有參考VIN的柵極驅動電源。關閉p通道MOSFET則僅需簡單地將柵極電壓變為VIN(0VVGS)。
英特爾能效最高的圖形架構——英特爾Xe-LP微架構,擁有低功耗、獨立片上系統設計,并配備128比特管道和8GB專用板載低功耗DDR4顯存。
(素材來源:21ic和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)