8款不同的650 V CoolSiC MOSFET產品。英飛凌完善了其600V/650V細分領域的Si基、SiC以及GaN功率半導體產品組合。

8個不同的產品，采用兩種插件TO-247封裝。從靜態導通電阻的角度來看，涵蓋4款額定值在27 mΩ-107 mΩ之間的不同產品，目標市場主要是工業電源、光伏、充電樁、不間斷電源系統以及能源儲存，之后英飛凌也將會陸續推出更多的封裝來滿足不同應用領域的需求。

在電源領域，除了性能考量之外，它的堅固和可靠程度也是不能被忽略的，不然會造成以后不可挽回的成本和商譽的損失。英飛凌針對SiC產品的可靠度也做了很多方案，例如，增加堅固耐用度，優化柵極氧化層的可靠度；抗寄生導通，將VGS重新設計在大于4V上，以此降低一些噪音進來的“誤導通”；優化適用于硬換向的體二極管等。

STM32F103RET6嵌入式-微控制器

核心尺寸:32-位  

速度:72MHz  

連接性:CAN，I2C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB  

外設:DMA，電機控制PWM，PDR，POR，PVD，PWM，溫度傳感器，WDT  

I/O數:51  

程序存儲容量:512KB（512Kx8）  

程序存儲器類型:閃存  

EEPROM容量:-  

RAM容量:64Kx8  

電壓-電源(Vcc/Vdd):2V~3.6V  

數據轉換器:A/D16x12b;D/A2x12b  

振蕩器類型:內部  

工作溫度:-40°C~85°C  

封裝:64-LQFP

新一代功率半導體可謂是勢在必行，尤其是氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的應用，或許將更快地推動未來電動汽車實現最佳性能的同時實現更低的能源損耗。很多半導體企業陸續調整在新材料方面的布局，包括CISSOID。

為延長電動汽車的行駛里程，降低整體系統成本，越來越多的電動汽車公司計劃向800V電池過渡，制造商改用SiC功率晶體管作為牽引逆變器。基于SiC的功率模塊可供使用，這些功率模塊需要針對電動機驅動進行優化，將快速開關SiC電源模塊集成到優化的逆變器中，包括柵極驅動器、去耦和水冷卻，這給設計帶來了極大的挑戰。而完全優化和高度集成（IPM）的解決方案可以節省大量的開發時間和工程資源。