充電速度充電樁800V電壓軌的應用
發布時間:2020/11/30 13:30:43 訪問次數:2182
CISSOID還與中國本土的一些SiC制造廠緊密合作,隨著這些產品質量的提高,對它們的產品進行測試和認證,以便隨著時間的推移提供越來越多的基于國內SiC芯片的產品系列。
新能源汽車的普及離不開充電樁的支持,充電樁的數量對新能源汽車的長期成功和大規模采用至關重要,如果沒有大規模的覆蓋和足夠的供給,新能源汽車將無法突破并成功取代內燃機(ICE)。
充電速度也將是充電樁目前待解決的問題之一。1、2和3級充電的通用插頭和充電標準,可有效改善各類型新能源汽車間充電樁插頭的通用問題。
制造商: Analog Devices Inc.
產品種類: 精密放大器
RoHS: 詳細信息
系列: ADA4522-2
通道數量: 2 Channel
GBP-增益帶寬產品: 2.7 MHz
SR - 轉換速率 : 1.8 V/us
CMRR - 共模抑制比: 130 dB
每個通道的輸出電流: 14 mA
Ib - 輸入偏流: 50 pA
Vos - 輸入偏置電壓 : 700 nV
en - 輸入電壓噪聲密度: 5.8 nV/sqrt Hz
電源電壓-最大: 55 V
電源電壓-最小: 4.5 V
工作電源電流: 830 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
關閉: Shutdown
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
放大器類型: Zero Drift Amplifier
輸入類型: Ground Sense
輸出類型: Rail to Rail
產品: Precision Amplifiers
商標: Analog Devices
THD + 噪聲: 0.001 %
3dB帶寬: 6.5 MHz
In—輸入噪聲電流密度: 800 fA/sqrt Hz
Ios - 輸入偏置電流 : 500 pA
產品類型: Precision Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 160 dB
穩定時間: 12 us
工廠包裝數量: 1000
子類別: Amplifier ICs
電壓增益 dB: 137 dB
延續了InnoSwitch3的特點,采用Power Integrations的高速FluxLink™耦合技術,可在無需專用隔離變壓器檢測繞組和光耦的情況下,實現±3%的高精度輸入電壓和負載綜合調整率。FluxLink技術即使在瞬態應力測試下也能保持輸出電壓穩壓,這對于基于PSR的方案而言尤其具有挑戰性。InnoSwitch3-AQ同樣具有非常高的可靠性,故障率小于<0.02 PPM,換句話說每百萬顆芯片有0.02顆芯片損壞。通過AEC-Q100認證,生產過程通過IATF16949認證。
InnoSwitch3-AQ支持30-400V超寬輸入范圍。而對于800V電壓軌的應用是如何支持,對于800 V電壓軌的應用可選StackFET™電路, StackFET在漏級和變壓器之間串聯另外一個750 V MOSFET,如此一來不但增加了耐壓,同時分擔了散熱,PI是最先推出StackFET電路的廠家,在典型應用中提供80%的降額。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
CISSOID還與中國本土的一些SiC制造廠緊密合作,隨著這些產品質量的提高,對它們的產品進行測試和認證,以便隨著時間的推移提供越來越多的基于國內SiC芯片的產品系列。
新能源汽車的普及離不開充電樁的支持,充電樁的數量對新能源汽車的長期成功和大規模采用至關重要,如果沒有大規模的覆蓋和足夠的供給,新能源汽車將無法突破并成功取代內燃機(ICE)。
充電速度也將是充電樁目前待解決的問題之一。1、2和3級充電的通用插頭和充電標準,可有效改善各類型新能源汽車間充電樁插頭的通用問題。
制造商: Analog Devices Inc.
產品種類: 精密放大器
RoHS: 詳細信息
系列: ADA4522-2
通道數量: 2 Channel
GBP-增益帶寬產品: 2.7 MHz
SR - 轉換速率 : 1.8 V/us
CMRR - 共模抑制比: 130 dB
每個通道的輸出電流: 14 mA
Ib - 輸入偏流: 50 pA
Vos - 輸入偏置電壓 : 700 nV
en - 輸入電壓噪聲密度: 5.8 nV/sqrt Hz
電源電壓-最大: 55 V
電源電壓-最小: 4.5 V
工作電源電流: 830 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
關閉: Shutdown
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
放大器類型: Zero Drift Amplifier
輸入類型: Ground Sense
輸出類型: Rail to Rail
產品: Precision Amplifiers
商標: Analog Devices
THD + 噪聲: 0.001 %
3dB帶寬: 6.5 MHz
In—輸入噪聲電流密度: 800 fA/sqrt Hz
Ios - 輸入偏置電流 : 500 pA
產品類型: Precision Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 160 dB
穩定時間: 12 us
工廠包裝數量: 1000
子類別: Amplifier ICs
電壓增益 dB: 137 dB
延續了InnoSwitch3的特點,采用Power Integrations的高速FluxLink™耦合技術,可在無需專用隔離變壓器檢測繞組和光耦的情況下,實現±3%的高精度輸入電壓和負載綜合調整率。FluxLink技術即使在瞬態應力測試下也能保持輸出電壓穩壓,這對于基于PSR的方案而言尤其具有挑戰性。InnoSwitch3-AQ同樣具有非常高的可靠性,故障率小于<0.02 PPM,換句話說每百萬顆芯片有0.02顆芯片損壞。通過AEC-Q100認證,生產過程通過IATF16949認證。
InnoSwitch3-AQ支持30-400V超寬輸入范圍。而對于800V電壓軌的應用是如何支持,對于800 V電壓軌的應用可選StackFET™電路, StackFET在漏級和變壓器之間串聯另外一個750 V MOSFET,如此一來不但增加了耐壓,同時分擔了散熱,PI是最先推出StackFET電路的廠家,在典型應用中提供80%的降額。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)