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six-pack模塊或功率集成模塊驅動功率級

發布時間:2020/11/30 23:07:16 訪問次數:1032

STMicroelectronics (ST) 的ACEPACK™ IGBT模塊。Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模塊屬于專為工業應用而開發的新型塑料電源模塊系列,可為3 kW – 30 kW的工業和電源管理解決方案提供高成本效益、高集成度的功率轉換功能。這些穩健的模塊兼具高功率密度和可靠性,實現了低導通電阻與高開關性能的完美組合。

ST ACEPACK IGBT模塊有兩種緊湊型配置,并采用ST的第三代溝槽式場截止IGBT。設計師可以選擇six-pack模塊或功率集成模塊 (PIM)。six-pack模塊內置六個IGBT和續流二極管,可用作三相逆變器。PIM是轉換器-逆變器-制動器 (CIB) 模塊,集成有三相整流器、三相逆變器和處理負載反饋能量的制動斬波器,提供完整驅動功率級。這兩種模塊還內置有NTC熱敏電阻,用于感測和控制溫度。

IGBT PIM模塊產品,分別有P2、P3兩款封裝外形,1200V,電流10A~35A,芯片參數穩定,一致性優異,產品采用環保材料,符合RoHS標準,主要應用于電動驅動器、交直流伺服驅動放大器和不間斷電源。

產品特點

最大工作結溫175℃

低開關損耗

低飽和壓降,正溫度系數

具有超快速和軟恢復特性的續流二極管

高短路電流能力(10us以上)

飽和壓降低,減少工作損耗

使用DBC結構的絕緣性散熱底板。


優異的導通電阻性能,有助于設備進一步節能

新模塊中使用的是ROHM產的SiC SBD和SiC MOSFET。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置,使導通電阻低于同等普通產品10%,這將非常有助于應用進一步節能。

SiC功率模塊的產品陣容:

漏電流功率元器件中從絕緣的位置泄漏出來的微小電流。抑制漏電流可防止元器件損壞和功耗增加。

高溫高濕反偏試驗(HV-H3TRB:High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)對于在高溫高濕環境下使用功率元器件時的耐久性進行評估的試驗。通過電場和水分引起的絕緣處漏電流的增加,來檢測絕緣擊穿等故障現象。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


STMicroelectronics (ST) 的ACEPACK™ IGBT模塊。Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模塊屬于專為工業應用而開發的新型塑料電源模塊系列,可為3 kW – 30 kW的工業和電源管理解決方案提供高成本效益、高集成度的功率轉換功能。這些穩健的模塊兼具高功率密度和可靠性,實現了低導通電阻與高開關性能的完美組合。

ST ACEPACK IGBT模塊有兩種緊湊型配置,并采用ST的第三代溝槽式場截止IGBT。設計師可以選擇six-pack模塊或功率集成模塊 (PIM)。six-pack模塊內置六個IGBT和續流二極管,可用作三相逆變器。PIM是轉換器-逆變器-制動器 (CIB) 模塊,集成有三相整流器、三相逆變器和處理負載反饋能量的制動斬波器,提供完整驅動功率級。這兩種模塊還內置有NTC熱敏電阻,用于感測和控制溫度。

IGBT PIM模塊產品,分別有P2、P3兩款封裝外形,1200V,電流10A~35A,芯片參數穩定,一致性優異,產品采用環保材料,符合RoHS標準,主要應用于電動驅動器、交直流伺服驅動放大器和不間斷電源。

產品特點

最大工作結溫175℃

低開關損耗

低飽和壓降,正溫度系數

具有超快速和軟恢復特性的續流二極管

高短路電流能力(10us以上)

飽和壓降低,減少工作損耗

使用DBC結構的絕緣性散熱底板。


優異的導通電阻性能,有助于設備進一步節能

新模塊中使用的是ROHM產的SiC SBD和SiC MOSFET。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置,使導通電阻低于同等普通產品10%,這將非常有助于應用進一步節能。

SiC功率模塊的產品陣容:

漏電流功率元器件中從絕緣的位置泄漏出來的微小電流。抑制漏電流可防止元器件損壞和功耗增加。

高溫高濕反偏試驗(HV-H3TRB:High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)對于在高溫高濕環境下使用功率元器件時的耐久性進行評估的試驗。通過電場和水分引起的絕緣處漏電流的增加,來檢測絕緣擊穿等故障現象。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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