多葉密封可提供比標準O形環更高的密封效率，同時連接時需要的力更小。Everis BLQ6 接頭采用閥式設計，在連接狀態下亦無密封摩擦，可以確保閥門在接頭斷開時能夠快速且可靠地關閉。得益于無泄漏設計，在壓力下斷開連接亦不會發生滴漏，從而防止電子設備暴露于流體并實現設備熱插拔。

Everis BLQ6 盲插接頭具有可選的面板安裝套件。當接頭安裝在指定面板或刀片孔內時，套件中的鋼圈滑動到端部并卡入位，從而在生產過程中為組件中的接頭提供額外的穩定性。可選的安裝套件用于母座和/或插嘴，因此無需跟蹤配對零件。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 監控電路

RoHS: 詳細信息

類型: Voltage Supervisory

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-8

閾值電壓: 2.63 V

被監測輸入數: 1 Input

輸出類型: Active-high,Active-low,Push-pull

人工復位: No Manual Reset

看門狗計時器: No Watchdog

電池備用開關: Backup

重置延遲時間: Adjustable

電源電壓-最大: 6 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

系列: TLC7703

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

特點: Active Low Enable, Manual Reset

高度: 1.15 mm

長度: 3 mm

工作溫度范圍: - 40 C to + 125 C

輸出電流: 10 mA

寬度: 4.4 mm

商標: Texas Instruments

過電壓閾值: 2.7 V

欠電壓閾值: 2.63 V

工作電源電流: 9 uA

Pd-功率耗散: 525 mW

產品類型: Supervisory Circuits

工廠包裝數量: 2000

子類別: PMIC - Power Management ICs

電源電壓-最小: 2 V

單位重量: 39 mg

Transphorm已開始供應SuperGaN Gen V FET的樣品，SuperGaN Gen V FET是一款電阻15 mΩ、電壓 650 V的器件，由于其柵極靈敏度，當下流行的單芯片e-mode GaN技術在此器件中不可用。

該解決方案與采用分立封裝的典型SiC MOSFET的最低電阻(R)相當，能夠根據目標應用驅動10 kW以上的功率，例如EV OBC和動力系統逆變器、機架式數據中心服務器的電源、不間斷工業電源應用及可再生光伏逆變器。

TP65H015G5WS也將用于裸片級封裝模塊解決方案，后者能夠進一步并聯以實現更高的功率。該公司預計其Gen V FET器件將在2021年年中獲得JEDEC認證，此后也有望獲得AEC-Q101認證。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）