LM2675-5.0的典型應用電路過溫保護模塊OTP
發布時間:2020/12/14 8:35:03 訪問次數:2246
一顆DC/DC降壓電源芯片LM2675的內部設計原理和結構。
LM2675-5.0的典型應用電路:電源芯片的內部全部單元模塊。BUCK結構我們已經很理解了,這個芯片的主要功能是實現對MOS管的驅動,并通過FB腳檢測輸出狀態來形成環路控制PWM驅動功率MOS管,實現穩壓或者恒流輸出。芯片內部的參考電壓又被稱為帶隙基準電壓,因為這個電壓值和硅的帶隙電壓相近,因此被稱為帶隙基準。這個值為1.2V左右,PN結的電流和電壓公式:
可以看出是指數關系,Is是反向飽和漏電流(即PN結因為少子漂移造成的漏電流)。這個電流和PN結的面積成正比,即Is->S。
制造商:EPCOS / TDK產品種類:共模濾波扼流圈RoHS:是系列:B82789C端接類型:SMD/SMT電感:51 uH阻抗:550 mOhms容差:- 30 %, + 50 %最大直流電流:250 mA最大直流電阻:550 mOhms自諧振頻率:-最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:1812 (4532 metric)資格:AEC-Q200封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel產品:Data Line Chokes商標:EPCOS / TDK產品類型:Common Mode Chokes工廠包裝數量:2500子類別:Inductors, Chokes & Coils零件號別名:2 513H B82789C B82789C513H2單位重量:27 mg
過溫保護模塊OTP,溫度保護是為了防止芯片異常高溫損壞,原理比較簡單,利用晶體管的溫度特性然后通過比較器設置保護點來關斷輸出。
過流保護模塊OCP在譬如輸出短路的情況下,通過檢測輸出電流來反饋控制輸出管的狀態,可以關斷或者限流。如圖13的電流采樣,利用晶體管的電流和面積成正比來采樣,一般采樣管Q2的面積會是輸出管面積的千分之一,然后通過電壓比較器來控制MOS管的驅動。
恒流源電路可以說是所有電路的基石,帶隙基準也是因此產生的,然后通過電流鏡來為每一個功能模塊提供電流,電流鏡就是通過晶體管的面積來設置需要的電流大小。
(素材來源:ttic和21IC.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
一顆DC/DC降壓電源芯片LM2675的內部設計原理和結構。
LM2675-5.0的典型應用電路:電源芯片的內部全部單元模塊。BUCK結構我們已經很理解了,這個芯片的主要功能是實現對MOS管的驅動,并通過FB腳檢測輸出狀態來形成環路控制PWM驅動功率MOS管,實現穩壓或者恒流輸出。芯片內部的參考電壓又被稱為帶隙基準電壓,因為這個電壓值和硅的帶隙電壓相近,因此被稱為帶隙基準。這個值為1.2V左右,PN結的電流和電壓公式:
可以看出是指數關系,Is是反向飽和漏電流(即PN結因為少子漂移造成的漏電流)。這個電流和PN結的面積成正比,即Is->S。
制造商:EPCOS / TDK產品種類:共模濾波扼流圈RoHS:是系列:B82789C端接類型:SMD/SMT電感:51 uH阻抗:550 mOhms容差:- 30 %, + 50 %最大直流電流:250 mA最大直流電阻:550 mOhms自諧振頻率:-最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:1812 (4532 metric)資格:AEC-Q200封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel產品:Data Line Chokes商標:EPCOS / TDK產品類型:Common Mode Chokes工廠包裝數量:2500子類別:Inductors, Chokes & Coils零件號別名:2 513H B82789C B82789C513H2單位重量:27 mg
過溫保護模塊OTP,溫度保護是為了防止芯片異常高溫損壞,原理比較簡單,利用晶體管的溫度特性然后通過比較器設置保護點來關斷輸出。
過流保護模塊OCP在譬如輸出短路的情況下,通過檢測輸出電流來反饋控制輸出管的狀態,可以關斷或者限流。如圖13的電流采樣,利用晶體管的電流和面積成正比來采樣,一般采樣管Q2的面積會是輸出管面積的千分之一,然后通過電壓比較器來控制MOS管的驅動。
恒流源電路可以說是所有電路的基石,帶隙基準也是因此產生的,然后通過電流鏡來為每一個功能模塊提供電流,電流鏡就是通過晶體管的面積來設置需要的電流大小。
(素材來源:ttic和21IC.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)