觸針與阻擋層間的電容較小頻率低于50千赫
發布時間:2020/12/15 23:04:48 訪問次數:1088
二極管是一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過（順向偏壓），反向時阻斷（逆向偏壓），對電路進行整流功能的元器件，二極管亦可成為電子版的逆止閥。此外變容二極管可用來當做電子式的可調電容器；
二極管按其結構和制造工藝不同，可分為點接觸型和面接觸型兩種。其兩者最大的區別就是，點接觸型二極管具有較小的接觸面積，觸針與阻擋層間的電容較小，適用于在頻率較高的場合工作。而面接觸型二極管的極間電容較大，適宜在頻率低于50千赫一下的地方工作，常用于整流；
二極管具有整流電路、檢波電路、穩壓電路等功能。
制造商:STMicroelectronics 產品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細信息 系列:STM32F103VC 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-100 核心:ARM Cortex M3 程序存儲器大小:256 kB 數據總線寬度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大時鐘頻率:72 MHz 輸入/輸出端數量:80 I/O 數據 RAM 大小:48 kB 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 高度:1.4 mm 長度:14 mm 程序存儲器類型:Flash 寬度:14 mm 商標:STMicroelectronics 數據 Ram 類型:SRAM 接口類型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 濕度敏感性:Yes ADC通道數量:16 Channel 計時器/計數器數量:8 Timer 處理器系列:ARM Cortex M 產品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數量:540 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2 V 商標名:STM32 單位重量:1.319 g
MOS管 和IGBT是現代電子設備中使用頻率較高的新型功率半導體器件，由于其外形及靜態參數十分相似，作為初學者在選擇、判斷上比較困難。因此一些MOS管 和IGBT的特點，希望大家更好的理解國產MOS管與IGBT的區別。
國產MOS管即是金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管，英文全稱為MOSEFT。是單極性電壓驅動器件，其具有輸入阻抗高開關速度快、低通導電阻、電流流通能力強的特點。MOS管當用作在電源開關時，是產品主要的熱源，需要靠外部散熱，是降低IC可靠性，導致系統不穩定的罪魁禍首。由于MOS管的結點電容比較大，應盡量零電壓開通以達到減少損耗的目的。
(素材來源：icgu和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
二極管是一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過（順向偏壓），反向時阻斷（逆向偏壓），對電路進行整流功能的元器件，二極管亦可成為電子版的逆止閥。此外變容二極管可用來當做電子式的可調電容器；
二極管按其結構和制造工藝不同，可分為點接觸型和面接觸型兩種。其兩者最大的區別就是，點接觸型二極管具有較小的接觸面積，觸針與阻擋層間的電容較小，適用于在頻率較高的場合工作。而面接觸型二極管的極間電容較大，適宜在頻率低于50千赫一下的地方工作，常用于整流；
二極管具有整流電路、檢波電路、穩壓電路等功能。
制造商:STMicroelectronics 產品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細信息 系列:STM32F103VC 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-100 核心:ARM Cortex M3 程序存儲器大小:256 kB 數據總線寬度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大時鐘頻率:72 MHz 輸入/輸出端數量:80 I/O 數據 RAM 大小:48 kB 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 高度:1.4 mm 長度:14 mm 程序存儲器類型:Flash 寬度:14 mm 商標:STMicroelectronics 數據 Ram 類型:SRAM 接口類型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 濕度敏感性:Yes ADC通道數量:16 Channel 計時器/計數器數量:8 Timer 處理器系列:ARM Cortex M 產品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數量:540 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2 V 商標名:STM32 單位重量:1.319 g
MOS管 和IGBT是現代電子設備中使用頻率較高的新型功率半導體器件，由于其外形及靜態參數十分相似，作為初學者在選擇、判斷上比較困難。因此一些MOS管 和IGBT的特點，希望大家更好的理解國產MOS管與IGBT的區別。
國產MOS管即是金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管，英文全稱為MOSEFT。是單極性電壓驅動器件，其具有輸入阻抗高開關速度快、低通導電阻、電流流通能力強的特點。MOS管當用作在電源開關時，是產品主要的熱源，需要靠外部散熱，是降低IC可靠性，導致系統不穩定的罪魁禍首。由于MOS管的結點電容比較大，應盡量零電壓開通以達到減少損耗的目的。
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