IGBT的開關損耗頻率間產生互調失真
發布時間:2020/12/15 23:06:34 訪問次數:1260
晶體管功放俗稱“石機”,是音響系統中最基本的設備,電子管功放——“膽機”。電子管功放一直占各種音響設備的統治地位,由于其聲音具有溫暖耐聽、音樂感好的特點而廣受消費者的青睞。在晶體管產生后,其憑借著“體積小,耗電省”而逐漸取代了電子管,成功的獨霸聲頻領域音響裝備的“一哥”地位。
通常為了獲得更高的閉環特性,我們會在晶體管功放施加深度達40db~50db的大環路負反饋,但這一做法往往會造成音質差、聲音不夠柔和和電路穩定性差、易自激等通病;
晶體管脫離放大區會產生非單一頻率的開關失真,從而還會導致各頻率間產生互調失真,這些都是最終造成晶體管功聽感和莫名燒高音喇叭的主要原因。
制造商:Micron Technology 產品種類:動態隨機存取存儲器 RoHS: 詳細信息 系列:MT51J 封裝:Tray 商標:Micron 濕度敏感性:Yes 產品類型:DRAM 工廠包裝數量:1260 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:2.432 g
制造商:Micron Technology 產品種類:動態隨機存取存儲器 RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-78 系列:MT41K 封裝:Tray 商標:Micron 濕度敏感性:Yes 產品類型:DRAM 工廠包裝數量:1440 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:3.366 g
在應用方面國產MOS管常被應用于中小功率應用,例如手機、VCD、變頻器和開關電源。
IGBT是絕緣柵雙極型、集MOS管與GTR優點于一身的新型復合型器件,除了有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓驅動型,又具備飽和壓低、高電壓、大電流的優點。
在應用方面,由于IGBT的開關損耗比較大,因此IGBT比較適用于中低頻應用,且在實際應用時外圍需要較多的保護線路。與國產MOS管相比IGBT,在高壓電流下, IGBT的Vce在的損耗比MOS管的低,因此在大功率應用中更占優勢。此外由于IGBT有電流拖尾現象,在應用時應盡量零電流關斷減少損耗。
晶體管功放俗稱“石機”,是音響系統中最基本的設備,電子管功放——“膽機”。電子管功放一直占各種音響設備的統治地位,由于其聲音具有溫暖耐聽、音樂感好的特點而廣受消費者的青睞。在晶體管產生后,其憑借著“體積小,耗電省”而逐漸取代了電子管,成功的獨霸聲頻領域音響裝備的“一哥”地位。
通常為了獲得更高的閉環特性,我們會在晶體管功放施加深度達40db~50db的大環路負反饋,但這一做法往往會造成音質差、聲音不夠柔和和電路穩定性差、易自激等通病;
晶體管脫離放大區會產生非單一頻率的開關失真,從而還會導致各頻率間產生互調失真,這些都是最終造成晶體管功聽感和莫名燒高音喇叭的主要原因。
制造商:Micron Technology 產品種類:動態隨機存取存儲器 RoHS: 詳細信息 系列:MT51J 封裝:Tray 商標:Micron 濕度敏感性:Yes 產品類型:DRAM 工廠包裝數量:1260 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:2.432 g
制造商:Micron Technology 產品種類:動態隨機存取存儲器 RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-78 系列:MT41K 封裝:Tray 商標:Micron 濕度敏感性:Yes 產品類型:DRAM 工廠包裝數量:1440 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:3.366 g
在應用方面國產MOS管常被應用于中小功率應用,例如手機、VCD、變頻器和開關電源。
IGBT是絕緣柵雙極型、集MOS管與GTR優點于一身的新型復合型器件,除了有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓驅動型,又具備飽和壓低、高電壓、大電流的優點。
在應用方面,由于IGBT的開關損耗比較大,因此IGBT比較適用于中低頻應用,且在實際應用時外圍需要較多的保護線路。與國產MOS管相比IGBT,在高壓電流下, IGBT的Vce在的損耗比MOS管的低,因此在大功率應用中更占優勢。此外由于IGBT有電流拖尾現象,在應用時應盡量零電流關斷減少損耗。