對于放大電路的最基本要求，一是不失真，二是能夠放大。如果輸出波形嚴重失真，所謂 “放大”就毫無意義了。因此，設置合適的靜態工作點，以保證放大電路不產生失真是非常必 要的。

萊迪思MachXO3D改進了生產過程中的器件配置和編程步驟。這些優化搭配MachXO3D的安全特性，保障了MachXO3D和合法固件之間的安全通信，從而較好地保護了系統。這種保護從系統制造、運輸、安裝、運行到報廢的整個生命周期中都有效。

制造商:STMicroelectronics 產品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細信息 系列:STM32F103C8 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-48 核心:ARM Cortex M3 程序存儲器大小:64 kB 數據總線寬度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大時鐘頻率:72 MHz 輸入/輸出端數量:37 I/O 數據 RAM 大小:20 kB 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 高度:1.4 mm 長度:7 mm 產品:MCU 程序存儲器類型:Flash 寬度:7 mm 商標:STMicroelectronics 數據 Ram 類型:SRAM 接口類型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 濕度敏感性:Yes ADC通道數量:10 Channel 計時器/計數器數量:3 Timer 處理器系列:ARM Cortex M 產品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數量:1500 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2 V 商標名:STM32 單位重量:180 mg

系統開發商通常會在系統部署后，利用FPGA的靈活性來增強系統功能。我們在保持MachXO3D靈活性的基礎上，增加了一個安全配置模塊，由此推出了業界首個符合美國國家標準與技術研究所（NIST）平臺固件保護恢復（PFR）標準、面向控制的FPGA。

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優的開關能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉換更高水平的功率.

基本共射放大電路的工作原理：

以NPN型晶體管組成的基本共射放大電路為例，闡明放大電路的組成原則及電路中 各元件的作用。

基本共射放大電路的組成及各元件的作用

圖所示為基本共射放大電路,晶體管是起放大作用的核心元件。輸入信號u,為正弦波電

壓。由于該電路是依據晶體管工作在放大狀態b-e、c-e所 需電壓而組成，故也稱之為原理性電路,以區別于實用電路。

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