典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。  

50-4000MHz雙路模擬電壓可變衰減器(VVA).器件包括專利控制電路,為每個衰減器23dB衰減范圍,其典型線性控制斜率8dB/V.兩個衰減器共享共同的模擬控制,并級聯以獲得46dB總衰減和典型線性控制斜率16dB/V(5V工作).另外器件的4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個衰減器.

MAX19791是單片集成電路,采Maxim公司的SiGeBiCMOS工藝,工作電壓5V或3.3V,緊湊的36引腳TQFN封裝(6mm x 6mm x 0.8mm).器件具有高度線性,整個衰減范圍內IIP3大于+37.4dBm,輸入P1dB為+22.6dBm.

封裝DC=50V DC=100V  

0805 0.5---10000pF 0.5---8200pF  

1206 0.5---12000pF 0.5---18000pF  

1210 560---56000pF 560---27000pF  

2225 1000pF---0.33μF 1000pF---0.18μF  NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。

主要用在WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000M, GSM/EDGE和 MMDS,基站,VSAT/衛星調制解調器,微波點對點系統,溫度補償電路,自動控制電平(ALC),發送器增益控制,線性增益微調,接收器增益控制和通用測試設備.

產品的隔離耐壓、浪涌耐壓、ESD能力等均達到行業領先水平。作為國內首家通過VDE增強隔離認證的芯片公司，納芯微能夠幫助廣大客戶通過產品級隔離認證要求，以縮短產品研發和上市周期，從而捕捉到產品的最佳市場窗口。

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