ADIN1200 PHY和fido5000嵌入式開關內存數據速率性能
發布時間:2020/12/19 22:13:34 訪問次數:885
鑒于與線路數據相關的延遲是固定的,且與位速率相關,使用低延遲組件(例如ADIN1200 PHY和fido5000嵌入式開關)將是優化性能的關鍵,尤其是在節點數量增加(例如,12軸CNC機床),周期時間縮短時。
類型:頂部安裝冷卻封裝:分類(BGA,LGA,CPU,ASIC……)接合方法:推腳形狀:方形,鰭片長度:1.575"(40.00mm)寬度:1.575"(40.00mm)離基底高度(鰭片高度):0.790"(20.00mm)不同強制氣流時的熱阻:12.42°C/W @ 100 LFM材料:鋁材料鍍層:藍色陽極氧化處理無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
輸出配置:正輸出類型:固定穩壓器數:1電壓 - 輸入(最大值):18V電壓 - 輸出(最小值/固定):1.8V壓降(最大值):1.4V @ 1A電流 - 輸出:1A電流 - 靜態(Iq):10mAPSRR:60dB(180Hz)保護功能:過流,超溫工作溫度:0°C ~ 125°C安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63供應商器件封裝:TO-252-3無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
Activate (激活)命令向SDRAM發送一個行地址,打開內存的一個行(頁面)。然后是一個Deselect (反選)命令序列,在對列地址發送Read 或Write 命令前滿足定時要求。一旦使用AcTIvate命令打開內存的行(頁面),那么可以在內存的該行(頁面)上運行多個Read和Write命令。要求Precharge(預充電)命令,關閉該行,然后才能打開另一行。
通過提高時鐘速率、突發數據及每個時鐘周期傳送兩個數據位(參見表1),DDR (雙倍數據速率) SDRAM 提高了內存數據速率性能。DDR SDRAM 在一條讀取命令或一條寫入命令中突發多個內存位置。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)鑒于與線路數據相關的延遲是固定的,且與位速率相關,使用低延遲組件(例如ADIN1200 PHY和fido5000嵌入式開關)將是優化性能的關鍵,尤其是在節點數量增加(例如,12軸CNC機床),周期時間縮短時。
類型:頂部安裝冷卻封裝:分類(BGA,LGA,CPU,ASIC……)接合方法:推腳形狀:方形,鰭片長度:1.575"(40.00mm)寬度:1.575"(40.00mm)離基底高度(鰭片高度):0.790"(20.00mm)不同強制氣流時的熱阻:12.42°C/W @ 100 LFM材料:鋁材料鍍層:藍色陽極氧化處理無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
輸出配置:正輸出類型:固定穩壓器數:1電壓 - 輸入(最大值):18V電壓 - 輸出(最小值/固定):1.8V壓降(最大值):1.4V @ 1A電流 - 輸出:1A電流 - 靜態(Iq):10mAPSRR:60dB(180Hz)保護功能:過流,超溫工作溫度:0°C ~ 125°C安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63供應商器件封裝:TO-252-3無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
Activate (激活)命令向SDRAM發送一個行地址,打開內存的一個行(頁面)。然后是一個Deselect (反選)命令序列,在對列地址發送Read 或Write 命令前滿足定時要求。一旦使用AcTIvate命令打開內存的行(頁面),那么可以在內存的該行(頁面)上運行多個Read和Write命令。要求Precharge(預充電)命令,關閉該行,然后才能打開另一行。
通過提高時鐘速率、突發數據及每個時鐘周期傳送兩個數據位(參見表1),DDR (雙倍數據速率) SDRAM 提高了內存數據速率性能。DDR SDRAM 在一條讀取命令或一條寫入命令中突發多個內存位置。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)