多個DDR2 SDRAM隔行掃描連續內存條中的連續內存字
發布時間:2020/12/19 22:23:12 訪問次數:428
DDR2 SDRAM 較DDR SDRAM 有多處改進。DDR2SDRAM時鐘速率更高,從而提高了內存數據速率。隨著時鐘速率提高,信號完整性對可靠運行內存變得越來越重要。隨著時鐘速率提高,電路板上的信號軌跡變成傳輸線,在信號線末端進行合理的布局和端接變得更加重要。
地址、時鐘和命令信號的端接相對簡明,因為這些信號是單向的,并端接在電路板上。數據信號和數據選通是雙向的。內存控制器中心在寫入操作中驅動這些信號,DDR2 SDRAM在讀取操作中驅動這些信號。多個DDR2 SDRAM 連接到同一個數據信號和數據選通上,進一步提高了復雜度。
制造商:Cornell Dubilier產品種類:鋁質電解電容器-SMDRoHS:是產品:General Purpose Electrolytic Capacitors電容:47 uF電壓額定值 DC:16 VDC容差:20 %ESR:9.2 Ohms最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C直徑:5 mm長度:5.4 mm高度:6.5 mm壽命:2000 Hour紋波電流:39 mA資格:AEC-Q200系列:AVS封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel端接類型:SMD/SMT類型:SMT Aluminum Electrolytic Capacitors商標:Cornell Dubilier - CDE漏泄電流:7.5 uA損耗因數 DF:0.26引線間隔:1.5 mm產品類型:Electrolytic Capacitors工廠包裝數量:1000子類別:Capacitors
對低功率應用,一次在每個內存條中只應打開一行,而不是一次打開行的多個內存條。
在內存條地址位連接到內存系統中的低階地址位時,支持隔行掃描連續內存條中的連續內存字。在內存條地址位連接到內存系統中的高階地址時,連續內存字位于同一個內存條中。DDR2 SDRAM 數據速率和時鐘速度.
多個DDR2 SDRAM 可以位于內存系統相同的DIMM上,也可以位于內存系統不同的DIMM上。結果,數據和數據選通驅動器和接收機不斷變化,具體取決于讀取/ 寫入操作及訪問的是哪個DDR2 SDRAM。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
DDR2 SDRAM 較DDR SDRAM 有多處改進。DDR2SDRAM時鐘速率更高,從而提高了內存數據速率。隨著時鐘速率提高,信號完整性對可靠運行內存變得越來越重要。隨著時鐘速率提高,電路板上的信號軌跡變成傳輸線,在信號線末端進行合理的布局和端接變得更加重要。
地址、時鐘和命令信號的端接相對簡明,因為這些信號是單向的,并端接在電路板上。數據信號和數據選通是雙向的。內存控制器中心在寫入操作中驅動這些信號,DDR2 SDRAM在讀取操作中驅動這些信號。多個DDR2 SDRAM 連接到同一個數據信號和數據選通上,進一步提高了復雜度。
制造商:Cornell Dubilier產品種類:鋁質電解電容器-SMDRoHS:是產品:General Purpose Electrolytic Capacitors電容:47 uF電壓額定值 DC:16 VDC容差:20 %ESR:9.2 Ohms最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C直徑:5 mm長度:5.4 mm高度:6.5 mm壽命:2000 Hour紋波電流:39 mA資格:AEC-Q200系列:AVS封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel端接類型:SMD/SMT類型:SMT Aluminum Electrolytic Capacitors商標:Cornell Dubilier - CDE漏泄電流:7.5 uA損耗因數 DF:0.26引線間隔:1.5 mm產品類型:Electrolytic Capacitors工廠包裝數量:1000子類別:Capacitors
對低功率應用,一次在每個內存條中只應打開一行,而不是一次打開行的多個內存條。
在內存條地址位連接到內存系統中的低階地址位時,支持隔行掃描連續內存條中的連續內存字。在內存條地址位連接到內存系統中的高階地址時,連續內存字位于同一個內存條中。DDR2 SDRAM 數據速率和時鐘速度.
多個DDR2 SDRAM 可以位于內存系統相同的DIMM上,也可以位于內存系統不同的DIMM上。結果,數據和數據選通驅動器和接收機不斷變化,具體取決于讀取/ 寫入操作及訪問的是哪個DDR2 SDRAM。
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