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偏轉格柵操作或光束控制高壓脈沖產生高質量電脈沖具挑戰性

發布時間:2023/4/6 8:31:54 訪問次數:30

增強型V2TM控制方式具有快速瞬態響應(100納秒)和更低的抖動,從而將所需輸出電容器數量降到最低。輸出電壓是通過高精度的5位數模轉換器(DAC)進行設定,該數模轉換器可在0.8V至1.55V范圍內編程。

為配合NCP5331在AMD Athlon處理器上的應用,推薦兩款功率MOSFET,即用于高邊的60Amp/28V NTD60N03開關和用于低邊的80Amp/24V NTD80N02開關。NTD60N03器件對快速轉換進行了優化,而NTD80N02對最低可能Rds(on)進行了優化.

福建芯鴻科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商: Texas Instruments

產品種類: 電源開關 IC - 配電

RoHS: 詳細信息

類型: High Side

輸出端數量: 1 Output

輸出電流: 1.25 A

導通電阻—最大值: 111 mOhms

運行時間—最大值: 1 ms

空閑時間—最大值: 5 ms

工作電源電壓: 2.8 V to 5.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-8

系列: TPS2115A

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產品: Power Multiplexers

商標: Texas Instruments

開發套件: TPS2115AEVM-061

Pd-功率耗散: 387 mW

產品類型: Power Switch ICs - Power Distribution

工廠包裝數量: 2000

子類別: Switch ICs

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 2.8 V

單位重量: 39 mg

無論是用于驅動激光二極管的大電流脈沖,還是用于偏轉格柵操作或光束控制的高壓脈沖,產生高質量的電脈沖都頗具挑戰性。在設計和銷售精密脈沖發生器方面,Directed Energy已有30多年的豐富經驗。豐富的行業經驗使他們能夠生產一整套標準產品,以滿足設計人員對高質量的快速電流脈沖和/或電壓脈沖的需求。

Directed Energy 擁有一系列性能卓越的現成模塊,可為各種應用提供高質量的大電流脈沖和/或高電脈沖,從 LiDAR 到 ADAS、激光二極管特征化、精密測量、物理和科學實驗。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

增強型V2TM控制方式具有快速瞬態響應(100納秒)和更低的抖動,從而將所需輸出電容器數量降到最低。輸出電壓是通過高精度的5位數模轉換器(DAC)進行設定,該數模轉換器可在0.8V至1.55V范圍內編程。

為配合NCP5331在AMD Athlon處理器上的應用,推薦兩款功率MOSFET,即用于高邊的60Amp/28V NTD60N03開關和用于低邊的80Amp/24V NTD80N02開關。NTD60N03器件對快速轉換進行了優化,而NTD80N02對最低可能Rds(on)進行了優化.

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產品種類: 電源開關 IC - 配電

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類型: High Side

輸出端數量: 1 Output

輸出電流: 1.25 A

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運行時間—最大值: 1 ms

空閑時間—最大值: 5 ms

工作電源電壓: 2.8 V to 5.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-8

系列: TPS2115A

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產品: Power Multiplexers

商標: Texas Instruments

開發套件: TPS2115AEVM-061

Pd-功率耗散: 387 mW

產品類型: Power Switch ICs - Power Distribution

工廠包裝數量: 2000

子類別: Switch ICs

電源電壓-最大: 5.5 V

電源電壓-最小: 2.8 V

單位重量: 39 mg

無論是用于驅動激光二極管的大電流脈沖,還是用于偏轉格柵操作或光束控制的高壓脈沖,產生高質量的電脈沖都頗具挑戰性。在設計和銷售精密脈沖發生器方面,Directed Energy已有30多年的豐富經驗。豐富的行業經驗使他們能夠生產一整套標準產品,以滿足設計人員對高質量的快速電流脈沖和/或電壓脈沖的需求。

Directed Energy 擁有一系列性能卓越的現成模塊,可為各種應用提供高質量的大電流脈沖和/或高電脈沖,從 LiDAR 到 ADAS、激光二極管特征化、精密測量、物理和科學實驗。


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