可變衰減器的模擬控制50-4000MHz雙路模擬電壓
發布時間:2020/12/28 19:30:31 訪問次數:691
MAX19791是50-4000MHz雙路模擬電壓可變衰減器(VVA).器件包括專利控制電路,為每個衰減器23dB衰減范圍,其典型線性控制斜率8dB/V.兩個衰減器共享共同的模擬控制,并級聯以獲得46dB總衰減和典型線性控制斜率16dB/V(5V工作).
器件的4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個衰減器.MAX19791是單片集成電路,采Maxim公司的SiGeBiCMOS工藝,工作電壓5V或3.3V,緊湊的36引腳TQFN封裝(6mm x 6mm x 0.8mm).器件具有高度線性,整個衰減范圍內IIP3大于+37.4dBm,輸入P1dB為+22.6dBm.
產品特點
全球通用電壓：85 - 264VAC/100 - 370VDC
高功率密度，小體積：3”x 2”x 1.03”
工作溫度范圍：-40℃ to +70℃
4000VAC高隔離電壓
滿足5000m海拔高度要求
極低漏電流＜75μA
空載功耗＜0.3W
輸出短路、過流、過壓保護
效率高達91%
滿足2 x MOPP 安全認證
適用于BF類應用（漏電流要求更高)
符合EC/EN/ES60601-1，UL/EN/IEC62368-1，IEC/EN60335-1，IEC/EN61558-1，GB4943-1等認證標準
用在WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000M, GSM/EDGE和 MMDS,基站,VSAT/衛星調制解調器,微波點對點系統,溫度補償電路,自動控制電平(ALC),發送器增益控制,線性增益微調,接收器增益控制和通用測試設備.
驅動三相無刷馬達的低壓柵極驅動器,它是單片三路半橋柵極驅動器,用來驅動N溝功率MOSFET.每個驅動器電流為600mA(沉/源).器件集成了低壓降線性穩壓器,通過自舉電路產生低邊和高邊柵極驅動器的電源電壓.器件提供低邊和高邊兩部分的欠壓鎖住(UVLO),避免功率開關工作低效率或危險條件.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
MAX19791是50-4000MHz雙路模擬電壓可變衰減器(VVA).器件包括專利控制電路,為每個衰減器23dB衰減范圍,其典型線性控制斜率8dB/V.兩個衰減器共享共同的模擬控制,并級聯以獲得46dB總衰減和典型線性控制斜率16dB/V(5V工作).
器件的4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個衰減器.MAX19791是單片集成電路,采Maxim公司的SiGeBiCMOS工藝,工作電壓5V或3.3V,緊湊的36引腳TQFN封裝(6mm x 6mm x 0.8mm).器件具有高度線性,整個衰減范圍內IIP3大于+37.4dBm,輸入P1dB為+22.6dBm.
產品特點
全球通用電壓：85 - 264VAC/100 - 370VDC
高功率密度，小體積：3”x 2”x 1.03”
工作溫度范圍：-40℃ to +70℃
4000VAC高隔離電壓
滿足5000m海拔高度要求
極低漏電流＜75μA
空載功耗＜0.3W
輸出短路、過流、過壓保護
效率高達91%
滿足2 x MOPP 安全認證
適用于BF類應用（漏電流要求更高)
符合EC/EN/ES60601-1，UL/EN/IEC62368-1，IEC/EN60335-1，IEC/EN61558-1，GB4943-1等認證標準
用在WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000M, GSM/EDGE和 MMDS,基站,VSAT/衛星調制解調器,微波點對點系統,溫度補償電路,自動控制電平(ALC),發送器增益控制,線性增益微調,接收器增益控制和通用測試設備.
驅動三相無刷馬達的低壓柵極驅動器,它是單片三路半橋柵極驅動器,用來驅動N溝功率MOSFET.每個驅動器電流為600mA(沉/源).器件集成了低壓降線性穩壓器,通過自舉電路產生低邊和高邊柵極驅動器的電源電壓.器件提供低邊和高邊兩部分的欠壓鎖住(UVLO),避免功率開關工作低效率或危險條件.
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