在非易失性模式下，SRAM 數據將從 EEPROM 并行傳輸 / 回讀或并行傳輸 / 回讀到 EEPROM 內。使用 SONOS（硅 - 氧化硅 - 氮化硅 - 氧化硅 - 硅）技術生產 EEPROM 可以提供高產量，并且與浮柵加工技術相比，它需要的掩膜更少。SONOS 技術其他主要優點表現在：完善的設計和生產過程，帶有 CMOS 微邏輯的良好可積分性，并且低功耗。

用戶數據的寫入次數不受限制，因為將這些數據寫入到標準 SRAM 內。在產品的使用壽命期間，可以將 EEPROM 的存儲周期次數修改為 100 多萬次。傳輸數據時不需要任何電池。當將數據從 SRAM 傳輸到 EEPROM 內所需的電源由外部電容提供時，將自動進行數據傳輸。NV-SRAM 還與時鐘邏輯配合使用，用于創建非易失性 RTC 組件。

制造商:Infineon 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PG-TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續漏極電流:6.8 A Rds On-漏源導通電阻:1 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:13 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:61 W 通道模式:Enhancement 商標名:CoolMOS 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 系列:CoolMOS CE 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon Technologies 下降時間:13 ns 濕度敏感性:Yes 產品類型:MOSFET 上升時間:8 ns 工廠包裝數量:2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:60 ns 典型接通延遲時間:10 ns 零件號別名:IPD60R1K0CE SP001396896 單位重量:4 g

高熱穩定性微功耗基準電壓源TS824-1.2和TS824-2.5，目標應用在需要低功耗的以電池為能源的設備。TS824-1.2和TS824-2.5的溫度系數為55ppm/C，在容性負載和工業范圍溫度-40度 到 85度內都很穩定。

TS824-1.2的輸出電壓是1.225V, TS824-2.5的輸出電壓是2.5V,適合用在電源，以電池為能源的設備，計算機，儀表，數據采集和功率管理電路。TS824-1.2在25度的工作電流為45 uA ，TS824-2.5在25度的工作電流為60 uA。最高工作溫度時的工作電流，TS824-1.2 為12mA,TS824-2.5為15mA.

輸出電壓的精度，TS824-12為±1%，TS824-2。5為±0.5% 或±1%。兩種器件的封裝為SOT-23。